NSR30CM3T5G 产品概述

一、产品简介

NSR30CM3T5G 为 ON Semiconductor（安森美）推出的一款肖特基二极管，采用 SOT-723 超小封装，内部为一对共阴极二极管（dual common‑cathode）。器件额定直流整流电流为 200mA，单次非重复峰值浪涌电流可达 600mA，反向耐压为 30V，典型正向压降约为 0.8V（在 100mA 时），在 25V 反向偏压下反向电流为 2µA。该器件适合空间受限且对开关速度和正向压降有一定要求的便携与消费类电子产品。

二、主要特性

• 封装：SOT‑723（超小表面贴装）
• 配置：一对共阴极（dual common‑cathode）
• 正向压降：Vf ≈ 0.8V @ If = 100mA
• 直流反向耐压：Vr = 30V
• 直流整流电流：If = 200mA
• 反向漏电流：Ir = 2µA @ Vr = 25V（25°C）
• 峰值浪涌电流：Ifsm = 600mA（单次非重复）
• 肖特基结具有极短的反向恢复时间，适合高频切换场合

三、典型应用

• 低压电源的二次整流与肖特基整流
• 电源反向保护与阻断（输入防反接）
• 电源 OR‑ing（多电源自动切换）与负载保护
• 便携式设备、IoT 节点、传感器模块、小型充电电路中的防护元件
• 快速开关、钳位和峰值钳制电路

四、封装与 PCB 布局建议

• SOT‑723 为超小型封装，适合高密度 PCB，但散热能力有限。
• 布局时尽量缩短二极管与电源导线的走线，减小寄生电感和热阻。
• 对于靠近 200mA 连续工作或频繁冲击电流场合，建议在二极管下方或周围留足铜箔散热区，并视需要增加热沉或过孔（若 PCB 板厚允许）。
• 焊接建议遵循厂商回流曲线，避免过热导致器件性能退化。

五、使用注意事项

• 反向漏电随温度上升显著增加，设计时需考虑工作温度下的最大 Ir。
• 连续工作电流以器件额定 200mA 为准，如长期接近此值应做热仿真或实测以确认结温。
• 峰值浪涌 600mA 为非重复单次脉冲能力，不替代多次冲击或持续过流保护。
• 若用于高频开关场合，注意二极管的寄生电容和线路布局对 EMI 的影响。

六、选型建议

在要求体积极小、需共阴极双路保护或整流、并且工作电流在数十毫安到 200mA 范围内、反向电压不超过 30V 的场景，NSR30CM3T5G 是一个成本与性能兼顾的选择。若系统工作电流或散热要求更高，可考虑更大封装或更高额定电流的肖特基器件。