SZESD5B5.0ST1G 产品概述

一、产品简介

SZESD5B5.0ST1G 为安森美（ON Semiconductor）系列的单路双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用表面贴装 SOD‑523 小封装，专为对瞬态高能脉冲及静电放电（ESD）事件提供保护而设计。器件极性为双向，适用于双向信号线或需要对正负突波对称保护的场合。

二、主要特性

• 反向工作电压 Vrwm：5.0 V（稳态线路电压保护点）
• 击穿电压 Vbr：约 5.8 V（典型）
• 峰值脉冲功率 Ppp：50 W（10/1000 µs 波形条件下）
• 反向漏电流 Ir：典型 ≤ 1 µA（在 Vrwm 条件下）
• 结电容 Cj：约 32 pF（对高速信号带宽有影响，需评估）
• 单通道、双向保护、工作结温范围：-55 ℃ 至 +150 ℃（Tj）
• 满足 IEC 61000‑4‑2 静电放电防护等级

三、优势与应用场景

• 小尺寸封装（SOD‑523）占位小，适合空间受限的移动设备、便携式终端、可穿戴设备、微型模块等。
• 双向结构可直接保护 USB、信号线、音频通道、串口及其他双向或交流耦合接口。
• 低漏电流有利于电池供电系统和对静态功耗敏感的应用。
• 典型应用：手机配件、相机模组接口、数据通信端口、传感器接口、便携式消费电子和工业控制信号入口等。

四、封装与安装

SOD‑523 为超小型贴片封装，适配常规回流焊工艺。设计 PCB 时应保证靠近被保护脚位布置器件、减小串联引线和寄生电感，必要时在布线端加入保护对称地或旁路网络以优化性能。由于结电容约 32 pF，对高速差分信号（如高速 USB/HDMI 等）可能引入带宽限制，选型时应权衡。

五、使用注意事项

• 确认器件的 Vrwm 与被保护线路的最大工作电压相匹配，避免在正常工作状态下触发击穿。
• 对于频繁大能量脉冲的场合需评估能量吸收能力与热耗散，必要时并联或采用更高 Ppp 的器件。
• 在高速信号链路中，结合器件 Cj 对信号完整性的影响，必要时考虑低电容替代品或在信号与地之间采用单向保护方案。
• 请遵循安森美的封装与回流焊推荐温度曲线以保证焊接可靠性。

六、典型电气参数（概要）

• 类型：ESD TVS 二极管（双向）
• Vrwm：5.0 V
• Vbr：约 5.8 V
• Ppp（10/1000 µs）：50 W
• Ir（@Vrwm）：≤ 1 µA
• Cj：32 pF
• 通道数：单路
• 工作温度：-55 ℃ ~ +150 ℃（Tj）
• 标准：IEC 61000‑4‑2（ESD 保护）

总结：SZESD5B5.0ST1G 以其小型封装、双向保护、低漏电与中等能量吸收能力，适合对体积和成本敏感且需抗静电/瞬态干扰的消费电子与工业信号端口保护。选型时应综合考虑结电容对高速信号的影响及实际脉冲能量要求。