SZESD9B3.3ST5G 产品概述

一、产品简介

SZESD9B3.3ST5G 是 ON (安森美) 推出的单路瞬态电压抑制（TVS/ESD）器件，采用紧凑的 SOD-923 封装，专为 3.3V 工艺或接口电源线提供静电与浪涌保护。器件通过 IEC 61000-4-2 标准的静电放电防护认证，适合空间受限且对漏电与耐压有一定要求的应用场景。

二、主要电气参数

• 反向截止电压 (Vrwm)：3.3 V（适配 3.3V 电源侧）
• 击穿电压：5 V（标称击穿起始区）
• 钳位电压：11.5 V（在指定浪涌电流下的最大钳位值）
• 反向漏电流 (Ir)：100 nA（在 Vrwm 下的典型小漏电）
• 结电容 (Cj)：15 pF（对高速信号有一定影响）
• 通道数：单路
• 工作结温：-55 ℃ ~ +150 ℃（Tj）
• 类型：ESD/TVS，防护等级符合 IEC 61000-4-2 要求

三、封装与机械特性

SOD-923 为超小型塑封封装，适用于表面贴装(SMT)工艺，便于在移动设备、可穿戴或 IoT 模块中节省 PCB 面积。小封装要求在布局时注意散热路径与焊盘设计以保证可靠性。

四、典型应用场景

• 3.3V 电源线过压/静电防护
• MCU、射频模块与传感器电源输入保护
• 工业控制与通信接口的浪涌抑制（需评估结电容对信号完整性的影响）
  注意：Cj=15pF 对超高速差分信号（如 USB3.0、PCIe 等）可能不够理想，应在系统级评估信号衰减与时延后决定使用。

五、布局与使用建议

• 尽量将 TVS 器件靠近外部连接器或受保护点放置，流向地的回流路径应短且低感抗；
• 在器件与地之间提供低阻抗接地面，避免通过长走线回流；
• 对于承受大能量脉冲的应用，可在 TVS 前配置合适的串联阻抗（如熔断电阻或磁珠）以分担能量；
• 注意焊盘尺寸与焊接条件，避免热应力导致器件损伤。

六、选型与注意事项

• 若目标为 3.3V 电源或一般 I/O 线保护，SZESD9B3.3ST5G 是合适的选择，凭借低漏电与较高钳位能有效保护下游器件；
• 对高速差分或对结电容敏感的模拟信号，需评估 15pF 的影响，必要时选用低容型 TVS；
• 根据系统需要确认钳位电压与浪涌电流下的能量吸收能力，以保证在最恶劣工况下仍能保护负载。

七、结论

SZESD9B3.3ST5G 提供面向 3.3V 系统的紧凑型 ESD/TVS 保护方案，具有低漏电、小封装与工业级温度范围等优点。适合对尺寸、成本与基本抗静电能力有要求的电子产品，在最终设计中请结合结电容、钳位性能与 PCB 布局共同评估以获得最佳保护效果。