MBR1060G 产品概述

一、产品简介

MBR1060G 是安森美（ON Semiconductor）出品的一款功率肖特基整流二极管，封装为 TO-220AC-2，适用于需要低压降、高效率整流的中功率电源和保护电路。器件额定直流正向电流为 10A，设计用于处理瞬态浪涌与连续整流负载，工作结温范围宽（-65°C 到 +175°C），适应工业级及军工级等严苛环境。

二、主要电气参数

• 直流整流电流：10A（连续工作条件下的额定值，需考虑散热条件）
• 正向压降：Vf = 800mV @ 10A（在大电流条件下的典型压降，实际电路中应以此评估功耗）
• 直流反向耐压：Vr = 60V（最大反向耐压，超出会导致器件击穿）
• 反向电流：Ir = 100μA @ 60V（在最大反向电压下的泄漏电流，随结温升高会显著增大）
• 非重复峰值浪涌电流：Ifsm = 150A（一次或短时浪涌吸收能力，适用于开机冲击与浪涌抑制）

三、热性能与封装

MBR1060G 采用 TO-220AC-2 封装，利于通过螺栓或夹持方式安装到散热片上以改善热散逸。该封装的优势是易于热管理和高电流连接，但在实际使用中应注意：

• 在高电流或高环境温度工况下需可靠散热（建议使用合适的散热片并考虑导热垫或绝缘垫），以避免结温超限。
• 结温范围宽，但长期在高温区域工作会缩短寿命，应进行额定功耗与结温仿真与验证。

四、典型应用场景

• 开关电源（SMPS）次级整流与同步替代件
• DC/DC 转换器输出整流
• 电池充电器和电源管理模块
• 反向极性保护、自由轮回二极管（freewheeling）和整流桥应用
• 工业与汽车电子中需要承受浪涌、要求低正向压降的场合（需确认工作电压与温度符合系统要求）

五、设计与使用注意事项

• 热设计：按 Vf 与电流计算功耗 P = Vf × I，依据散热条件选择合适散热片并留出安全裕度。
• 反向泄漏：在高电压或高温工况下 Ir 会增大，若系统对漏电敏感需评估最大工作温度下的漏电影响或选用漏电更低的器件。
• 浪涌能力：Ifsm = 150A 表示短时冲击能力，若系统存在频繁浪涌（如反复热插拔）应谨慎考虑寿命与可靠性。
• 并联使用：若需增大电流，可并联多只器件，但需加电流均流措施（阻值匹配、热管理一致）以避免不均流导致单只过载。
• 安装注意：TO-220 安装时螺栓压紧要适度，若需绝缘安装请使用合格的绝缘垫片并考虑热阻增加的影响。

六、可靠性与选型建议

在选型时，除参考 Vf、Vr、Ir 与 Ifsm 等关键参数外，还应关注器件在目标温度下的性能（尤其是漏电随温度上升的变化）与封装热阻。对长期稳定性要求高的项目，应结合实际负载做寿命与热循环测试。若系统工作电压接近或超过 60V，应选用更高耐压等级的器件。

七、小结

MBR1060G 以其 10A 的整流能力、150A 的浪涌承受力和 TO-220 便于散热的封装，适合中功率电源与保护电路应用。设计中应重点考虑散热与反向泄漏特性，在高温或高电压应用场景下做好热与电性能验证，以保证系统稳定与可靠。若需进一步的电气图、封装尺寸或热阻参数，可参考安森美官方数据表以获得完整规范信息。