ES1A 快恢复/高效率二极管（ON Semiconductor，SMA封装）

一、产品概述

ES1A 是一款由 ON Semiconductor（安森美）提供的 1A 等级快恢复/高效率整流二极管，采用 SMA（DO-214AC）封装。该器件在 1A 工作电流下正向压降约 0.92V，反向耐压 50V，反向漏电流小，反向恢复时间短，适用于开关电源整流、续流（freewheeling）、整流桥及一般开关电路中的高效率整流应用。

二、主要电气参数

• 正向压降 Vf：0.92V @ IF = 1A
• 直流反向耐压 Vr：50V
• 最大整流电流 IF(AV)：1A
• 反向电流 IR：5µA @ VR = 50V
• 反向恢复时间 Trr：15ns（典型快恢复特性）
• 非重复峰值浪涌电流 Ifsm：30A
• 功耗 Pd：1.47W（封装限制条件下）
• 工作结温范围：-55℃ ~ +150℃

三、器件特点与优势

• 低正向压降与低漏电流：0.92V 的正向压降在 1A 级别中有利于降低导通损耗，5µA 的反向漏电流有助于在高阻抗或待机场景保持低泄漏。
• 快恢复特性：15ns 的反向恢复时间适合中高频开关应用，能有效减少开关损耗和电磁干扰（需配合良好寄生电感控制）。
• 良好的冲击承受能力：30A 的单次浪涌电流能力，在通电瞬态或启动浪涌场景下具备一定鲁棒性。
• 宽温度范围：-55℃ 至 +150℃ 的结温范围，满足工业级及多数苛刻环境使用需求。
• SMA（DO-214AC）封装：体积小、易于自动贴装，同时具有一定的散热能力，适合 PCB 上密集布局。

四、典型应用场景

• 开关电源（SMPS）输出整流与续流二极管；
• 电机驱动的续流路径与反向吸收；
• 通用整流器、反向极性保护电路；
• 车载电子、消费类电子中的低压整流（注意瞬态电压与抑制设计）；
• 需要在中等频率下提高效率的整流场合（如几十 kHz 至几百 kHz 范围，需根据系统实际频率验证）。

五、封装与热管理建议

SMA 封装虽然体积小，但功耗 Pd~1.47W 受限于 PCB 散热条件。建议：

• 在 PCB 上提供尽量宽的铜箔散热区并加焊盘热孔，以降低结-周围温度；
• 布局时缩短器件与开关元件之间的连接，减少寄生电感，降低开关尖峰与应力；
• 对于频繁大电流或高占空比场景，应在热仿真或实际测量下评估结温并考虑降额使用。

六、选型与替代注意事项

在替换或并用同类零件时，除 Vf、Vr、IF、Ir、Trr、Ifsm 外，还应对比器件在温度、RθJA（结到环境热阻）及封装一致性。若系统对开关损耗极为敏感，可考虑更低 Vf 或更短 Trr 的超快恢复/肖特基方案；若需要更高耐压或更大平均电流，则需选用更大封装或更高额定器件。

总结：ES1A 在 1A/50V 级别提供了较好的效率与开关性能，是许多中低功率开关整流和续流应用的实用选择。选择时应结合系统工作频率、热环境和浪涌条件进行综合评估。