BS170-D27Z 产品概述

一、产品简介

BS170-D27Z 是安森美（ON Semiconductor）生产的一款小功率 N 沟增强型场效应晶体管（N‑MOSFET），采用 TO‑92 塑料封装，单只器件，适合低功耗、小信号开关与放大场合。其设计面向 60V 及以下电压等级的通用电子应用，兼顾手工焊接与批量装配便利性。

二、主要性能参数

• 器件类型：N 沟道 MOSFET，数量：1 个
• 漏源电压 Vdss：60V
• 连续漏极电流 Id：500mA
• 导通电阻 RDS(on)：5Ω @ Vgs=10V、Id=200mA
• 最大耗散功率 Pd：830mW
• 阈值电压 Vgs(th)：约 3V（典型测试条件）
• 输入电容 Ciss：约 40pF @ Vgs=10V
• 工作结温范围：-55°C ~ +150°C（Tj）
• 封装：TO‑92
• 品牌：ON（安森美）

三、特性与优势

• 60V 耐压能力使其在中低压开关电路中具有良好可靠性，适用于隔离或提升电压的开关场合。
• 较小的输入电容（Ciss≈40pF）利于提高开关速度并降低驱动能耗，适合频率不高但要求响应快的控制场景。
• TO‑92 封装体积小、成本低，方便手工焊接与原型开发，也适用于空间受限的 PCB 布局。
• 低电流等级与相对较高的导通电阻表明该器件适合小负载应用，结构简单、使用方便。

四、典型应用场景

• 小信号开关与电子开关阵列（LED 驱动、继电器驱动的前级控制）
• 低功耗放大器与电平转换（需注意导通电阻对增益与压降的影响）
• 电路保护与电源管理辅助开关（软启动、断电检测等）
• 原型开发与教学实验平台，适合手工焊接与调试

五、使用注意事项与设计建议

• 导通性能：RDS(on)=5Ω 是在 Vgs=10V、Id=200mA 条件下的典型值；在逻辑电平（如 3.3V 或 5V）驱动下导通电阻会显著增大，应评估电压降与功耗是否满足设计要求。
• 功耗与散热：器件最大耗散功率为 830mW，TO‑92 封装散热能力有限，长期工作时需注意结温上升与环境温度，必要时采取降低占空比、增加散热或改用功率更大的封装。
• 驱动与保护：门极驱动电压应遵循厂家手册建议，避免超过门极最大额定电压；在开关感性负载时建议加吸收回路或保护元件以防止过压或击穿。
• 查阅数据手册：实际设计中请参阅安森美官方数据手册以获取更完整的极限参数、典型特性曲线（如 RDS(on) 随 Vgs、Id 的变化、热阻、SOA 等）与封装引脚图，确保安全可靠使用。

六、封装与选型参考

BS170‑D27Z（TO‑92）适合对体积、成本有要求的通用小功率场合。若应用中存在更高电流或更低导通损耗的需求，可优先考虑更低 RDS(on) 和更高 Pd 的封装（如 SOT‑23、TO‑220 等）或同系列的功率型 MOSFET。选型时应综合考虑工作电压、电流、导通损耗与散热条件。

总结：BS170‑D27Z 是一款可靠的通用 N 沟道 MOSFET，适合多种低功耗、小信号开关场景。设计时重点关注门极驱动电压与封装散热限制，参考安森美官方资料以获得最佳应用效果。