LN237N3T5G 产品概述

一、产品简介

LN237N3T5G 是乐山无线电（LRC）出品的一款小封装 N 沟道场效应管，封装为 SOT-883-3，额定漏源电压 30V，连续漏极电流 1.5A。器件适用于低电压逻辑驱动和一般开关、功率管理场合，适配 2.5V 门驱动的应用需求。

二、主要规格（关键参数）

• 类型：N 沟道 MOSFET（单颗）
• 漏源电压 Vdss：30V
• 连续漏极电流 Id：1.5A
• 导通电阻 RDS(on)：680mΩ @ Vgs=2.5V
• 阈值电压 Vgs(th)：1.5V @ Id=250μA
• 总栅极电荷 Qg：750pC @ Vgs=4.5V
• 输入电容 Ciss：55.8pF
• 反向传输电容 Crss：4.2pF
• 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
• 封装：SOT-883-3
• 品牌：LRC（乐山无线电）

三、性能特点与解读

1. 门极阈值 1.5V（250μA）表明器件为低门限型，能在低电平逻辑下开始导通；但给定的 RDS(on) 在 2.5V 条件下为 680mΩ，属于中等导通电阻，适合小功率负载或功率路径而非大电流低压降场合。
2. 总栅极电荷 Qg 较大（750pC@4.5V），对驱动电路提出要求：在快速切换场合需要更大驱动电流，切换损耗与驱动器能力相关。
3. Ciss、Crss 值适中，Crss 较小有利于减少 Miller 效应对门极的反推影响。
4. 小封装热阻相对较高，虽然额定 Id=1.5A，但实际连续大电流应用需关注结壳温升与散热策略。

四、典型应用场景

• 便携设备中的低压开关与负载切换
• 电源管理与电池保护（低速或线性工作）
• 继电器/机电负载的固态替代（小电流）
• 通用开关阵列、信号隔离或分流控制（非高频高效率 DC-DC 主开关）

五、使用建议与注意事项

• 若在 2.5V 门驱动下使用，可获得额定 RDS(on)；若需要更低导通损耗，应选择更低 RDS(on) 或提高 Vgs。
• 对于开关频率较高的设计，应评估 Qg 带来的开关损耗（Pdrv ≈ Qg·Vgs·fs），并选用合适驱动器或降低开关频率。
• 封装热管理：在 PCB 设计时尽量缩短漏极与源极走线，增设散热铜箔，必要时并用热沉或多层铜铺垫以降低结温。
• 加入栅极电阻以抑制振铃，必要时并联 TVS 或 RC 吸收网络以抑制瞬态过压。

六、封装与可靠性

SOT-883-3 封装体积小，适合高密度贴片电路。器件工作温度覆盖 -55℃ 至 +150℃，适合工业级环境。设计时应基于实际功率耗散和 PCB 热阻计算结温，确保长期可靠性。

总结：LN237N3T5G 以 30V 耐压、低门限和小封装为主要卖点，适合低压逻辑控制、功率路径和一般负载开关场景；在选择与设计中需重点关注其中等 RDS(on)、较大 Qg 与封装热管理限制。