IPN70R900P7S 产品概述

一、产品简介

IPN70R900P7S 是英飞凌推出的一款高耐压 N 沟道场效应管（MOSFET），额定漏源电压 Vdss 为 700V，适用于中高压开关场合。该器件以 SOT-223 小体积封装实现较好的功率处理能力与尺寸折衷，单个器件适合用于功率开关、Flyback/反激式电源、功率因数校正老化电路及高压开关阵列等应用。

二、主要规格

• 漏源电压（Vdss）：700 V
• 导通电阻（RDS(on)）：900 mΩ @ Vgs = 10 V, Id = 1.1 A
• 漏极电流：标称 6 A（参考典型应用与 PCB 散热条件）
• 最大耗散功率（Pd）：6.5 W
• 阈值电压（Vgs(th)）：3.0 V @ Id = 0.06 mA
• 栅极电荷（Qg）：6.8 nC @ Vgs = 10 V
• 输入电容（Ciss）：211 pF；输出电容（Coss）：5 pF
• 工作温度范围：-40 ℃ ~ +150 ℃
• 封装：SOT-223；品牌：Infineon（英飞凌）

三、特性与优势

• 高耐压设计：700V 的耐压能力适合反激式电源、离线电源及高压开关场合。
• 小封装高集成：SOT-223 在体积受限的板上设计中提供方便的安装和散热接口。
• 适中导通电阻与门极电荷：0.9Ω 的 RDS(on) 与 6.8nC 的 Qg 在高压开关中取得功耗与开关速度的平衡，便于驱动电路设计。
• 宽温度范围：-40 ℃ 至 +150 ℃，适应工业级温度环境。

四、典型应用场景

• 离线开关电源（SMPS）、反激式与隔离型电源开关元件；
• 功率因数校正（PFC）前端或中小功率逆变器；
• 工业控制与测量设备中的高压开关；
• LED 驱动与电子变压器等需要高压开关的场合。

五、设计与散热建议

• 驱动电压建议采用接近 10 V 的栅极驱动，以确保 RDS(on) 达到标称值并降低导通损耗；阈值电压约 3 V，低电压驱动会显著增加导通电阻。
• 栅极电荷 Qg = 6.8 nC 表明在高速开关应用时需选择合适的门驱动器以控制开关损耗与电磁干扰。
• 器件耗散功率为 6.5 W，实际可承受的功率与 PCB 铜箔面积、散热片及环境温度强相关。建议在板上为 SOT-223 提供足够的散热铜箔和必要的散热通道，必要时并联或使用外部散热器。
• 注意开关瞬态过压与回灌，必要时在漏极端增加吸收网络（RC、RCD 或 TVS）以保护器件。

六、封装与可靠性

SOT-223 封装利于中等功率散热和自动化贴装，适合批量生产。英飞凌产品在制造与检测上具有较高一致性，适合要求长期稳定性的工业应用。选型时建议参考厂商详细数据手册进行热阻、SOA 与封装焊接工艺的核对，以保证设计余量和可靠性。

总之，IPN70R900P7S 在体积、耐压和开关性能之间取得良好折衷，适用于多种中小功率高压开关场合。选型与布局时应重视栅极驱动与散热设计，以发挥其最佳性能。