SZMMSZ43T1G 产品概述

一、核心参数

SZMMSZ43T1G 是 ON Semiconductor（安森美）推出的一款独立式稳压二极管（Zener），标称稳压值 43V，允许范围 40.85V～45.15V。器件在 30.1V 时反向电流 Ir 为 50nA（极低漏电），动态阻抗 Zzt 为 150Ω，最大耗散功率 Pd 为 500mW。工作结温范围宽：-55℃ 至 +150℃。封装为 SOD-123，适用于贴片安装的空间受限电路。

二、主要特性

• 高稳压值：43V 标称，适合中高压基准和稳压场合。
• 低漏电流：30.1V 时 Ir≈50nA，空载或待机功耗小。
• 中等动态阻抗：Zzt=150Ω，表明在一定工作电流范围内具有可预测的电压随电流变化特性。
• 功率与温度能力：Pd=500mW，Tj 可工作到 150℃，适合多种工业环境（需注意热设计）。
• SOD-123 封装便于自动贴装与小尺寸 PCB 设计。

三、典型应用场景

• 作为 43V 限压/钳位器件，用于保护后端电路不被过压冲击。
• 提供稳压参考或基准电压（需配合限流电阻与滤波）。
• 中低功率电源电路中作为浪涌吸收或电压钳位元件。
• 便携式或空间受限的电子设备中使用，利用 SMD 封装节省空间。

四、设计与使用建议

• 限流电阻计算：R = (Vin − Vz) / Iz。为保证器件工作且不超功耗，最大稳流 Iz_max 约等于 Pd / Vz ≈ 500mW / 43V ≈ 11.6mA（实际上需考虑 PCB 散热和环境温度，建议留裕量）。
• 例：若 Vin=60V，期望 Iz=5mA，则 R = (60−43)/5mA ≈ 3.4kΩ，限流电阻功耗为 (60−43)*5mA = 85mW。
• 由于 Zzt=150Ω，电流波动会导致电压变化（ΔV ≈ Zzt·ΔI），在要求高精度的基准场合需留意或采取温度补偿与低阻抗配置。
• 43V 属于雪崩区管脚，温度系数为正值（随温升电压略增或减，取决于实际工况），高精度场合应进行温度漂移校准或采用补偿电路。

五、封装与热管理

SOD-123 为小体积 SMD 封装，热阻相对较高，实际可承受的最大稳流受 PCB 铜箔面积与散热条件限制。建议在器件下方和周围配置适量铜皮作为散热通道，并在高环境温度或接近 Pd 极限时降低工作电流以保证长期可靠性。

六、可靠性与注意事项

• 器件工作结温范围宽，但长期在高 Tj 下运行会缩短寿命，应避免长期满功耗工作。
• 裸露板测试与量产时注意 ESD 和过压浪涌保护，稳压二极管虽能吸收一定能量，但超过其能量等级会损坏。
• 焊接与回流工艺按 SMD 推荐工艺执行，注意过热保护和湿储存管理以避免焊接缺陷。

总之，SZMMSZ43T1G 适用于需 43V 钳位或稳压的中低功率场合，凭借低漏电、适中的动态阻抗与小尺寸封装，在空间受限且功率不高的电路中具有良好实用性。设计时需综合考虑功率限值、热设计及温度漂移特性以确保稳定可靠运行。