SMS05T1G 产品概述 — ON (安森美)

一、产品简介

SMS05T1G 是 ON Semiconductor（安森美）推出的一款四路单向瞬态抑制二极管（TVS），专为保护敏感电子接口免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和浪涌（Surge）而设计。器件采用紧凑的 SC-74 封装，适合空间受限的消费类和工业电子设备。

二、关键电气参数

• 极性：单向
• 反向工作电压 Vrwm：5 V
• 击穿电压 Vbr：7.2 V（典型）
• 钳位电压（Ipp 测试时）：9.8 V
• 峰值脉冲电流 Ipp：5 A @ 8/20 μs
• 峰值脉冲功率 Ppp：350 W @ 8/20 μs
• 反向电流 Ir：20 μA（在 Vrwm 条件下）
• 结电容 Cj：约 400 pF / 250 pF（依型号/条件）
• 通道数：四路
• 防护等级：符合 IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4、IEC 61000-4-5 标准
• 类型：ESD 保护

三、主要特性与优势

• 四路保护可同时保护多条信号线或数据线，节省 PCB 面积与元件数量。
• 单向结构适用于具有确定极性的电源或信号线（如 5V 电源轨、单向数据接口）。
• 在 8/20 μs 测试波形下具有 5 A 的抗脉冲能力与 9.8 V 的钳位性能，可有效限制瞬态电压峰值，保护下游电路。
• 低反向漏电（20 μA）保证在正常工作下不会影响电路静态功耗。
• 不同结电容选项（约 400 pF / 250 pF）为高速信号线与电源线保护提供了权衡：较小 Cj 更利于高速信号完整性。

四、典型应用场景

• USB、串行总线及多路数据线保护（尤其是 5V 类接口）。
• 消费电子：智能手机配件、平板、机顶盒等外部接口防护。
• 工业与通信设备：I/O 接口、传感器线路保护。
• 任何需要在有限空间内实现多路瞬态抑制的场合。

五、设计与布板建议

• 将器件尽量靠近受保护的连接器或信号源放置，以缩短寄生走线并提高抑制效率。
• 对高能量浪涌场合建议配合系列阻抗（如小电阻或共模电感）以分担能量并降低钳位电压影响。
• 高速数据线使用时，应优先选择标称较低 Cj（约 250 pF）的版本以减少对信号完整性的影响。
• 注意热量管理：尽管 Ppp=350 W（8/20 μs）表示瞬态能力，但频繁、大能量冲击会导致器件升温或损坏，应考虑系统级浪涌缓解方案。

六、选型与注意事项

• 确认保护对象的工作电压与 Vrwm（5 V）一致或低于该值，避免在正常工作下发生触发。
• 检查所需的结电容与系统带宽匹配，数据线对信号完整性敏感时选择低 Cj 版本。
• 若需要双向保护或更高能量吸收，应考虑其他型号或并联/串联组合方案。
• 注意焊接温度和回流曲线，避免超出器件封装允许的温度限制。

七、可靠性与合规

SMS05T1G 满足常见的电磁兼容与抗干扰测试（IEC 61000-4-2/4-4/4-5），适合用于要求一定抗干扰等级的产品设计。在实际产品认证过程中，仍需结合整机测试结果进行最终验证。

总结：SMS05T1G 以其四路保护、紧凑封装与良好的瞬态抑制能力，非常适合 5V 类接口与空间受限的多通道防护应用。在设计中应综合考虑结电容、钳位电压与位置布局，以确保既满足保护要求，又兼顾信号完整性与可靠性。