FQD2N100TM 产品概述

一、产品简介

FQD2N100TM 是 ON Semiconductor（安森美）一款高压 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-252（DPAK）封装，面向低电流、高电压的开关和线性应用。器件额定漏源电压 Vdss 为 1 kV，标称连续漏极电流 1.6 A，适合需要耐压能力但电流不大的场合。

二、主要规格（关键参数）

• 漏源电压 Vdss：1 kV
• 连续漏极电流 Id：1.6 A（额定值，受散热条件限制）
• 导通电阻 RDS(on)：9 Ω @ Vgs=10 V, Id=0.8 A
• 耗散功率 Pd：2.5 W（封装热能力限定）
• 阈值电压 Vgs(th)：5 V
• 栅极电荷 Qg：15.5 nC @ 10 V
• 输入电容 Ciss：520 pF @ 25 V；反向传输电容 Crss：6.5 pF @ 25 V
• 工作温度范围：-55 ℃ ～ +150 ℃
• 封装：TO-252 (DPAK)，表面贴装，带散热引脚

三、主要特性与优势

• 高耐压：1 kV 的耐压等级适用于高压开关、隔离式电源起动电路、浪涌保护和高压采样场合。
• 小型化封装：DPAK 便于表面贴装和自动化组装，适合中小功率模组。
• 开关损耗可控：Ciss/Crss 值较小，Crss 尤其低，有利于减少 Miller 效应对开关的影响；Qg 在同类高压器件中属于合理范围，栅极驱动功率易于估算与控制。

四、典型应用场景

• 高压启动/限流电路、启动电阻替代开关
• 隔离式或反激式开关电源的高压侧开关（低工作电流场合）
• 浪涌钳位、能量回收或高压开关模块
• 工业传感、阀门驱动等小电流高压应用

五、设计与使用注意事项

• 热设计是关键：Pd=2.5 W 为封装在标准 PCB 条件下的耗散能力，实际允许连续电流须通过 P = I^2·RDS(on) 与 Pd 比对来判断。举例：若按 RDS(on)=9 Ω 计算，Id=0.5 A 时损耗约 2.25 W，已接近 Pd 上限；Id=0.8 A 时损耗约 5.76 W，明显超出持续耗散能力，因此不宜长期在高电流下工作。建议在设计中保守取用、并做好铜箔散热或外部散热。
• 栅极驱动与阈值：Vgs(th)=5 V 表明不是逻辑电平器件，通常需以 10 V 驱动以达到标称 RDS(on)。栅极电荷 Qg=15.5 nC，按 Pgate = Qg·Vgate·fs 估算驱动损耗（例：fs=100 kHz, Vg=10 V 则 Pgate≈0.0155 W）。为控制开关应力与 EMI，建议采用合适的栅极电阻（根据系统 dv/dt 和驱动能力选择，一般范围 10～100 Ω）。
• Miller 效应与开关过渡：Crss 较小（6.5 pF），有助于减小 Miller 宽度，但在高 dV/dt 条件下仍需注意栅源电压的耦合与栅极钳位。
• 脉冲与瞬态能力：网络或产品资料中若出现“50 W”等数值，通常指脉冲或短时峰值，需以具体数据手册中的脉冲额定和波形条件为准，不可将其视作持续能力。

六、选型建议

该器件适合“高电压、低至中等电流”的场合；若系统需要长期较大电流或低导通损耗，应选用 RDS(on) 更低、耗散能力更强的器件或采用并联与更大散热。设计前务必查阅厂家完整数据手册，依据热阻、环境温度与 PCB 散热面积进行热仿真与余量校核。

总结：FQD2N100TM 在耐压和体积上具有优势，适合高压侧小电流开关或保护应用，但因 RDS(on) 较高与 Pd 限制，使用时应以热与导通损耗为首要约束条件，合理设计驱动与散热方案。