MPS751-D26Z 产品概述

一、概述

MPS751-D26Z 是 ON Semiconductor（安森美）出品的一款 PNP 型硅双极结晶体管，采用 TO-92-3 直插封装，面向通用开关与小信号放大场合。该器件在中等电流和中高电压条件下具有稳定的增益和较低的漏电流，适合电源侧、驱动级及模拟放大电路中作为 PNP 功能单元使用。

二、主要参数（关键规格一览）

• 晶体管类型：PNP
• 集电极电流 Ic(max)：2 A
• 集射极击穿电压 Vceo：60 V
• 最大耗散功率 Pd：625 mW (0.625 W)
• 直流电流增益 hFE：典型 40 @ Ic=2 A, VCE=2 V
• 特征频率 fT：75 MHz
• 集电极截止电流 Icbo：100 nA
• 集—射极饱和电压 VCE(sat)：典型 300 mV
• 封装：TO-92-3（直插）

三、特性与性能解读

• 低漏电流：Icbo≈100 nA 表明在高阻态时漏电流很小，适合需要低静态漏电的电路。
• 中等放大能力：hFE≈40 在 Ic=2 A 时属于中等增益，适用于需要一定放大倍数但又承受较大电流的场合。注意大电流下增益会下降。
• 频率特性：fT≈75 MHz，表明该器件在几十兆赫兹范围内仍能维持增益，下限频率应用没有问题，但在高频大电流放大时需注意增益和相位裕量下降。
• 低饱和压：VCE(sat)≈0.3 V（典型），在开关导通时损耗较小，但与 Pd 的限制结合需要谨慎评估导通损耗。

四、典型应用场景

• PNP 型驱动器：用作功率放大级或对称放大电路的 PNP 补偿器件。
• 低电压开关：在要求低 VCE(sat) 的开关通路中短时承载较大电流。
• 小信号放大：在音频或中频放大器中用于前级或中级放大。
• 电源与保护：用于反接保护、过流检测的 PNP 侧控制元件。

五、使用与设计注意事项

• 功率与热设计：Pd=0.625 W 意味着在 TO-92 无额外散热条件下连续 2 A 工作不可行。举例：若 Ic=2 A 且 VCE(sat)=0.3 V，器件耗散约 0.6 W，已接近 Pd 极限且封装热阻较大，会导致结温快速上升。建议限制连续电流、采用脉冲工作或并联/使用更大功率器件。
• 基极驱动：按额定 hFE=40 计算，Ic=2 A 时基极电流需约 50 mA（Ib = Ic/hFE）。若要求完全饱和，通常需强制 Beta 降至 5–10，此时基极电流可能达 200–400 mA，基极驱动能力需评估，常规逻辑门直接驱动通常不足，需额外驱动器或采用 MOSFET 替代。
• 高频性能：fT=75 MHz 表示小信号高频响应良好，但在大电流或饱和区工作时有效带宽下降，设计放大器时需考虑频率补偿。
• 引脚与封装：TO-92-3 直插便于面包板与 PCB 手工焊接，但热阻高且散热有限。具体引脚排列与管脚定义请以生产厂商最新版数据手册为准。

六、选型与资料获取

MPS751-D26Z 适合需要 PNP 功能且电流/功耗受限的场合。选择时注意工作点（Ic、VCE）、散热方案与驱动能力匹配。如需样片、封装引脚图、电气特性曲线和典型应用电路，请下载 ON Semiconductor 官方数据手册或联系供应商获取完整技术资料与可靠性信息。