MMBZ5235BLT1G 产品概述

一、产品简介

MMBZ5235BLT1G 是 ON（安森美）出品的一款独立式稳压二极管（Zener diode），采用 SOT-23-3 小封装，额定稳压值为 6.8V。该器件面向低功耗、小型化电路中的基准源、过压钳位和浅度稳压应用，具有低漏电、高温度范围与良好的小信号阻抗特性，适合便携设备、传感器模块与模拟前端电路等场景使用。

二、主要电气参数

• 标称稳压值：6.8V（典型）
• 稳压值允许范围：6.46V ～ 7.14V
• 反向泄漏电流 Ir：3 µA @ 5V
• 最大耗散功率 Pd：225 mW（在规定散热条件下）
• 小信号阻抗 Zzt：5 Ω（在规定测试条件下）
• 跨越/转折阻抗 Zzk：750 Ω
• 工作结温范围：-65 ℃ ～ +150 ℃
• 封装：SOT-23-3（适合自动贴装）

以上参数体现了器件在低功率、弱电流工作点下的稳定性与可靠性；Zzt 的较小值有利于稳压精度，而 Zzk 较高提示在跨越区（起始导通）时有明显非线性特征。

三、典型应用

• 低功耗参考电压源与偏置网络
• 过压保护与信号钳位（小幅度浪涌）
• 模拟电路的基准点（放大器偏置、ADC 参考）
• 便携式与电池供电设备中的局部稳压

由于器件额定耗散功率较低，它更适合于小电流稳压或局部钳位，而非替代线性稳压器用于高电流场合。

四、设计与使用建议

• 最大静态电流估算：在理想情况下 Imax ≈ Pd / Vz = 225mW / 6.8V ≈ 33 mA，但实际应用中需留有裕量并进行散热/温升评估，建议工作电流通常控制在数 mA 到十几 mA 范围内以延长寿命并保持稳压性能。
• 推荐串联限流：使用串联电阻 Ri 来设定稳压电流和限制功耗，Ri = (Vin - Vz) / Iz；选择 Iz 时应兼顾稳压精度（受 Zzt 影响）与功耗。
• 噪声与滤波：齐纳二极管在工作区会产生较多噪声，在对噪声敏感的基准应用中建议并联适量电容或采用低噪声参考电路。
• 热管理：SOT-23 的热阻较大，应避免在高环境温度与高静态功耗同时出现时长时间运行；必要时在 PCB 设计上增加铜箔散热或采用热过流保护。
• 极性识别：SOT-23 封装通常有极性标记（阴极带），焊接时注意方向以免误接造成器件损坏。

五、选型注意事项

• 若负载电流或脉冲能量要求较高，应选用额定功率更大的封装或稳压器件。
• 对稳压精度有严格要求时，关注器件的 Zzt、温度系数与稳压范围并考虑配套的电流源或放大器补偿。
• 在高温或极端工作条件下，核对结温与散热条件，避免超过器件绝对最大额定。

六、封装与制造适配

SOT-23-3 封装便于自动贴装与大批量生产，推荐遵循安森美的回流焊工艺规范和 PCB 焊盘样式。器件适合标准电子装配流程，但需注意焊接温度与湿敏等级以防吸湿导致焊接缺陷。

结语：MMBZ5235BLT1G 以其小尺寸、低漏电与良好的稳压特性，适合在空间受限且电流不大的电子系统内做局部稳压与保护使用。合理的电流限制、热设计与滤波措施可显著提升应用稳定性和寿命。