MBRD5H100T4G 产品概述

一、产品简介

MBRD5H100T4G 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款高压、大电流肖特基整流二极管，标称直流整流电流为 5A，反向耐压 100V。该器件采用 TO-252-2（DPAK）表面贴装封装，适用于中小功率开关电源、整流与续流等场合，兼顾低正向压降与高速响应。

二、主要参数

• 正向压降 (Vf)：710 mV @ 5A
• 直流反向耐压 (Vr)：100 V
• 正向整流电流：5 A
• 反向漏电流 (Ir)：3.5 μA @ 100 V
• 品牌：ON（安森美）
• 封装：TO-252-2 (DPAK)

以上参数为典型/标称值，具体极限和温度相关特性请参照官方数据手册。

三、关键特性

• 低正向压降：在 5A 工作点 Vf≈0.71V，有利于降低导通损耗和温升。
• 低反向泄漏：100V 时反向电流仅数微安，在高压待机或逆向偏置场景可保持较低漏耗。
• 快速响应：肖特基结固有的无恢复时间特性，适合开关频率较高的电源拓扑。
• 表面贴装封装：DPAK 便于自动化贴装，适配有散热要求的 PCB 设计。

四、典型应用

• 开关电源中的续流与整流二极管（如同步整流替代、次级整流）
• 输入反向保护、反极性保护电路
• 电机驱动与功率转换器中的续流路径
• 车载电子、电池管理与工业电源等需 100V 等级保护的场合

五、封装与热管理

TO-252-2 (DPAK) 为表面贴装散热片式封装，器件金属大底或散热片通常与负极或阳极/阴极电极相连（请以数据手册为准）。在 5A 工作条件下建议在 PCB 上使用足够的铜箔散热（扩大焊盘、打通散热过孔），并注意器件结温与环境温度的热沉降额定。若长时间近额定电流运行，应考虑额外散热措施或并联器件。

六、选型与使用建议

• 工作电流与温升：尽量预留裕量并按实际工况进行热仿真，避免长期在最大额定电流下运行。
• 反向泄漏随温度上升显著增加，需在高温环境下评估泄漏及影响。
• 封装脚位与焊接：遵循安森美的推荐封装图与回流焊工艺，以保证可靠焊接与热传导。
• 若需更低 Vf 或更高耐压/电流，请参考同系列或替代型号。

七、订购与注意事项

订购时请确认完整型号（MBRD5H100T4G）、封装与包装（带卷盘或散装）以及生产批次。设计前查阅安森美最新数据手册以获取完整的绝对最大额定值、温度系数、典型特性曲线及焊接说明。长期可靠性与性能稳定性还应通过样机验证和实际环境测试来确认。