NTD25P03LT4G 产品概述

一、特性概述

NTD25P03LT4G 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款 P 沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 Vdss 为 30V，连续漏极电流 Id 为 25A，导通电阻 RDS(on) 为 51mΩ（在 Vgs = -5.0V，Id = 25A 条件下测得）。器件采用 DPAK 封装，功耗耗散 Pd 达到 75W（在适当散热条件下），适用于中低压、高电流的开关与保护场合。

二、主要电气参数

• 漏源电压（Vdss）：30V
• 连续漏极电流（Id）：25A
• 导通电阻（RDS(on)）：51mΩ @ Vgs = -5.0V, Id = 25A
• 阈值电压（Vgs(th)）：约 1V
• 总栅极电荷（Qg）：20nC @ 5V
• 输入电容（Ciss）：1.26nF @ 25V
• 反向传输电容（Crss）：210pF @ 25V
• 工作温度范围：-55℃～+150℃
• 封装：DPAK（便于表面贴装与散热）

三、典型应用场景

适用于电源管理与负载切换场合，例如：

• 高端（高侧）开关与电池切换电路（P 沟道便于高侧控制）
• 逆接保护、短路保护与电源选择器
• 电机驱动、同步整流与充放电管理（需注意热设计）

四、设计与布局建议

1. DPAK 封装需配合大铜面积散热，底部焊盘与散热孔采取热过孔或散热垫以降低结壳热阻。
2. 栅极驱动电平以 Vgs = -5V 为目标能获得标称 RDS(on)，驱动电路需能提供约 20nC 的栅电荷并考虑开关损耗。
3. 注意器件在高电流、大功耗工作时的结温上升，连续 25A 的能力依赖于良好散热条件及 PCB 热设计。
4. 布局时将电流回路短而粗，减小寄生感抗与电压尖峰，必要时加 TVS 或栅源电阻以抑制瞬态。

五、可靠性与选型要点

NTD25P03LT4G 适合需兼顾低导通损耗与高侧简化驱动的场合。选型时应综合考虑实际 Vgs 驱动电平、工作结温与 PCB 散热能力，避免在超出额定条件下长时间工作。如需更低 RDS(on) 或更高 Vdss，可在安森美系列中比较后续替代品。