S100 产品概述

一、简介

S100 是一款独立式肖特基二极管，由 ON Semiconductor（安森美）提供，封装为 DO-214AC（SMB）。该器件针对低压降、高开关速度的整流与保护场合设计，具有良好的导通效率与耐压能力，适用于各类开关电源与瞬态保护电路。

二、主要参数

• 正向压降 (Vf)：850 mV @ 1 A
• 直流反向耐压 (Vr)：100 V
• 额定整流电流：1 A（连续）
• 反向漏电流 (Ir)：200 μA @ 100 V
• 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)：40 A（单次浪涌）
• 工作结温范围：-65 ℃ ～ +125 ℃
• 封装：DO-214AC（SMB，独立式）

三、核心特性与优势

• 低正向压降：在 1 A 工作点下 Vf≈0.85 V，降低导通损耗，有利于提高效率、减少发热。
• 快速恢复与低结电容：肖特基结构使其切换速度快，适合开关电源与高频脉冲场合。
• 良好的浪涌承受能力：40 A 单次浪涌能力可应对短时启动电流或突发冲击。
• 宽温度范围：适应工业级温度要求的工作环境。

四、典型应用场景

• 开关电源二次侧整流与续流（低压高频整流）
• DC-DC 降压/升压转换器中的快恢复整流
• 电源反向保护、极性保护电路
• 电池供电设备与便携式电子产品的低损耗路径
• 各类工业电源模块与通用整流需求

五、封装与热管理建议

DO-214AC（SMB）为便于手工与波峰/回流焊装配的表面贴装封装。设计 PCB 时应为封装引脚和底部散热端提供适度铜箔面积以改善热扩散；在高温或高平均功率场合，需评估结温并进行适当的散热设计。建议在选型阶段关注工作环境温度对反向漏电流（Ir）和最大连续电流的影响。

六、选型要点与注意事项

• 确认工作电压留有足够裕量（Vr=100 V），并考虑浪涌与过压情形。
• 在高温或高偏压条件下，反向漏电流会增大，应据此评估待机与泄露能容忍程度。
• 如果电路对正向压降或开关损耗有更严苛要求，可对比更低 Vf 或更低结电阻的肖特基型号。
• 生产与装配时遵循器件的焊接温度曲线与存储规范以保证可靠性。

七、结语

S100 以其 100 V 耐压、0.85 V @1 A 的低正向压降及较强的浪涌能力，为中低功率开关电源、整流与保护应用提供了一种性价比较高的解决方案。在设计中建议结合实际工作温度、平均功率与浪涌条件进行热与电参数验证，确保长期可靠运行。