型号:

MURA210T3G

品牌:ON(安森美)
封装:SMA
批次:24+
包装:编带
重量:0.124g
其他:
MURA210T3G 产品实物图片
MURA210T3G 一小时发货
描述:二极管-标准-100V-2A-表面贴装型-SMA
库存数量
库存:
1109
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:5000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.536
5000+
0.487
产品参数
属性参数值
正向压降(Vf)940mV@2A
直流反向耐压(Vr)100V
整流电流2A
反向电流(Ir)2uA
反向恢复时间(Trr)30ns
工作结温范围-65℃~+175℃@(Tj)
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)50A

MURA210T3G 产品概述

MURA210T3G 是 ON Semiconductor 推出的 100V/2A 表面贴装整流二极管,采用 SMA 封装,面向需要高效率开关整流和稳健耐压能力的电源设计。该器件结合低正向压降、较低反向电流和短反向恢复时间,适合从开关电源到功率整流等多种应用场景。

一、主要电气参数与关键性能

  • 正向压降 (Vf):940 mV @ 2 A(典型测试工况,表现出在中等电流下较低的功耗)
  • 直流反向耐压 (Vr):100 V,适用于 100V 额定电压以内的开关和整流场景
  • 整流电流:2 A(连续正向电流,SMA 封装下的常用额定值)
  • 反向电流 (Ir):2 μA(在规定测试条件下,体现低泄漏特性,有利于提高空载效率)
  • 反向恢复时间 (Trr):30 ns,快速恢复特性使其适合中高速开关电源和脉冲整流应用
  • 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):50 A,能承受短时浪涌(如通电瞬间或整流充电浪涌)
  • 工作结温范围:-65 ℃ 至 +175 ℃,说明器件可在较宽温度范围内可靠工作,适应苛刻环境

二、主要特性与优势

  • 低正向压降:在 2 A 工作点下 Vf ≈ 0.94 V,可减小导通损耗,提高系统效率,尤其对要求低损耗的整流链有明显帮助。
  • 快速恢复:Trr 约 30 ns,有利于减少开关损耗与振铃,对桥式整流、反激/正激/同步整流电路均适用。
  • 低反向泄漏:Ir 小至 μA 级,在高压或空载条件下可降低漏耗,提升节能表现。
  • 高温耐受:结温上限 175 ℃,增强了可靠性裕量,适合温度较高的功率密集型应用。
  • SMA 表面贴装:便于自动化贴装与大批量生产,节省 PCB 面积且便于热管理设计。

三、典型应用场景

  • 开关电源次级整流与自由轮二极管(flyback/forward 输出整流)
  • 串入式或并联整流桥,用于适配器、电源模块等
  • 充电器、LED 驱动电源中的快速整流与保护电路
  • 反向极性保护与续流保护场景(考虑 Vf 与功耗权衡)
  • 受限条件下的工业与消费类电源设计,需兼顾浪涌承受能力与效率

四、热管理与 PCB 设计建议

  • 走线与铜箔面积:尽量在器件两侧与底部提供较大铜面积以降低结到环境的热阻。连续 2 A 工作时,长期发热不可忽视,增大周边铜箔有助于散热。
  • 热过孔与散热层:若 PCB 有内层或底层大铜区域,可通过热过孔将热量传导到内部层或散热平面,提升散热效率。
  • 焊盘与封装注意事项:遵循厂商推荐的 SMA 焊盘尺寸与焊接工艺,避免过度回流温度与时间导致器件应力。
  • 温度系数与降额:在高环境温度下应进行适当电流降额以保证长期可靠性;关注结温不超过器件额定上限。

五、可靠性与使用注意

  • 浪涌能力:Ifsm 为 50 A,可承受短时浪涌,但应避免频繁大浪涌以延长寿命。
  • 开关速度与 EMI:30 ns 的反向恢复在多数中频开关应用中表现良好,但在高速开关或极高 dV/dt 场合仍需留意电磁干扰与缓冲网络设计(如 RC 串联缓冲、阻尼等)。
  • 耐压裕量:在系统中预留适当的电压裕量,以应对瞬态冲击与电压尖峰。
  • 测试条件差异:器件标注的 Vf、Ir 等参数受到温度与测试条件影响,设计时请基于最坏情况(高温、高负载)进行验证。

六、封装与采购提示

  • 封装类型:SMA,适配常见贴片工艺。
  • 交付形态:常见为卷装(Tape & Reel),便于自动化贴片与生产线使用。
  • 选型考虑:在设计前应对比 Vf、Trr、Ir 与系统需求,若需更低正向压降可考虑肖特基器件;若需更高耐压或更低恢复时间则选择相应规格的整流或快恢复器件。

总结:MURA210T3G 在 100 V、2 A 等级中提供了平衡的低正向压降、快速恢复与良好热容忍度,适合多种功率整流与保护应用。设计时关注热管理与开关噪声抑制,可使器件在实际电路中达到最佳性能与可靠性。