MURB1620CTRT4G 产品概述

一、产品简介

MURB1620CTRT4G 为安森美（ON Semiconductor）出品的开关二极管，采用一对共阳极（Common Anode）配置，封装形式为 D2PAK。器件面向中高功率开关电源、整流与续流等场景设计，兼顾大电流整流能力与较快的反向恢复特性，适用于需要稳定直流整流与抗浪涌能力的工业与消费电子系统。

二、主要参数

• 二极管配置：1 对共阳极（共阳）
• 正向压降（Vf）：1.2 V @ 8 A
• 直流反向耐压（Vr）：200 V
• 额定整流电流：8 A（直流）
• 反向漏电流（Ir）：5 μA @ 200 V
• 反向恢复时间（Trr）：85 ns
• 非重复峰值浪涌电流（Ifsm）：100 A
• 工作结温范围（Tj）：-65 ℃ ~ +175 ℃
• 封装：D2PAK（便于表面贴装与散热处理）
• 品牌：ON（安森美）

三、性能特点

• 大电流整流能力：在8 A 级别下保持较低的正向压降（1.2 V），适合中功率整流应用。
• 中等速度恢复：85 ns 的反向恢复时间在常见开关电源与功率变换器中能兼顾效率与开关损耗。
• 低漏电流：在200 V 时仅约5 μA，利于高压侧的静态功耗控制与可靠性。
• 抗浪涌能力强：100 A 的非重复峰值浪涌电流能够承受启动或短时过载情形。
• 宽温度范围：-65 ℃ 至 +175 ℃ 的结温能力满足严苛环境下长期工作需求。

四、典型应用

• 开关电源（SMPS）整流与输出续流
• 功率因数校正（PFC）电路中的高压整流
• 逆变器与电机驱动中的自由轮检测与续流
• 工业电源与充电设备的高压整流单元

五、使用与布局建议

• 散热：D2PAK 封装利于通过焊盘和散热铜箔导热，建议器件底部与 PCB 大面积铜箔连接并加热沉，以降低结-壳温度并提高可靠电流承载能力。
• 陶瓷/电解电容：在整流与开关节点并联适配的去耦电容，以抑制电压振铃并减小过冲对器件的应力。
• PCB 布局：高电流回路缩短并加宽走线，减小串联电感；在共阳配置中注意阴极引脚的功率与热分布。
• 浪涌与保护：若工作环境存在反复大浪涌或短路风险，需配合熔断器、限流电路或热保护措施。
• 并联使用：若需超过单管额定电流，建议尽量匹配热阻与电气参数并配对使用，同时采取电流均分措施。

六、可靠性与注意事项

• 遵守器件最大额定值与热设计要求，避免超过 Ifsm、Vr 与结温极限。
• 在高温或高频切换场景下关注反向恢复导致的电压过冲与开关损耗，必要时配合缓冲网络（RC、RCD）或选择更低 Trr 的器件。
• 出货验证时关注焊接温度曲线对 D2PAK 的影响以及长期热循环下的机械应力。

总结：MURB1620CTRT4G 以其 200 V 耐压、8 A 持续整流能力、较低漏电与良好浪涌承受力，适合多种中高功率整流与续流场合。合理的热设计与 PCB 布局能显著提升其长期稳定性与实际电流能力。若对更低反向恢复时间或更低正向压降有更高诉求，可在选型阶段做进一步对比验证。