MURS110T3G 产品概述

一、产品简介

MURS110T3G 是 ON Semiconductor（安森美）推出的一款快恢复、高效率整流二极管，采用 SMB 封装，面向开关电源、逆变器与高频整流场景。器件在结温范围宽（-65℃ 至 +175℃@Tj）内工作稳定，结合低正向压降和较快的反向恢复特性，适合在要求效率与开关性能兼顾的电路中替代普通整流二极管。

二、主要参数与特性

• 直流反向耐压（Vr）：100V，适用于中低压电源与保护用途。
• 整流电流（Io）：2A，适用小功率至中等功率输出整流。
• 正向压降（Vf）：约 875mV @ 1A，较低的压降可降低导通损耗，提高效率。
• 非重复峰值浪涌电流（Ifsm）：40A，满足启动或短时浪涌条件下的抗冲击能力。
• 反向电流（Ir）：典型为 µA 级（约 2–5µA @100V，随温度上升而增加），适合低漏电流要求场合。
• 反向恢复时间（Trr）：35ns，属于快恢复等级，减少开关损耗与电磁干扰。
• 工作结温范围：-65℃ 至 +175℃（Tj），适应工业级与严苛环境。

三、应用场景

• 开关电源二次侧整流与同步整流替代件；
• 电池充电与管理电路的高效整流；
• 逆变器与电机驱动中的自由轮恢复路径；
• 工业电子、汽车电子（非直接安全关键部位）与便携电源。

四、热管理与封装说明

SMB 封装体积适中，便于波峰/回流焊接与自动化生产。典型应用需关注结至环境的热阻与散热路径，连续 2A 工作时应保证良好铜箔面积与散热措施，避免在高结温情况下长期工作以延长器件寿命。封装与 PCB 布局应优先考虑热量导出与浪涌电流路径的最短走线。

五、使用建议

• 在高频开关场合配合合理的缓冲网络（RC 或 RCD）以抑制尖峰，减少电磁干扰；
• 若需更低漏电或更高效率，可在并联或替换为更低 Vf 的肖特基器件，但需权衡反向耐压与浪涌能力；
• 设计时考虑峰值浪涌（Ifsm）与封装热极限，必要时做浪涌限流或软启动处理。

六、选型与替代方案

MURS110T3G 在要求 100V 耐压、快恢复与 2A 整流能力的设计中具有良好性价比。对于要求更低正向压降或更高频率性能的场合，可考虑肖特基二极管；对于更高浪涌或功率需求，应选用更大封装或并联设计。

七、结语与采购信息

MURS110T3G 适合在中低压、高频率、电能效率要求较高的电源与保护电路中使用。选型时请结合具体工作温度、纹波电流与散热条件，并参考厂商完整数据手册以获取详细极限参数与封装尺寸。品牌：ON（安森美），封装：SMB。