型号:

MUR1520G

品牌:ON(安森美)
封装:ITO-220AC
批次:25+
包装:管装
重量:2.76g
其他:
-
MUR1520G 产品实物图片
MUR1520G 一小时发货
描述:快恢复/高效率二极管 独立式 1.05V@15A 200V 15A
库存数量
库存:
28
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:50
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.92
50+
2.7
产品参数
属性参数值
二极管配置独立式
正向压降(Vf)1.05V@15A
直流反向耐压(Vr)200V
整流电流15A
反向电流(Ir)10uA@200V
反向恢复时间(Trr)35ns
工作结温范围-65℃~+175℃@(Tj)
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)150A

MUR1520G 产品概述

一 产品简介

MUR1520G 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款独立式快恢复/高效率整流二极管,常用于高频开关电源、整流桥、逆变器及功率转换场合。该器件在中高压(200V)和大电流(15A)工作条件下表现稳定,适合在需要兼顾开关性能与导通损耗的电源设计中使用。

二 主要参数

  • 二极管配置:独立式
  • 正向压降:Vf = 1.05V @ 15A
  • 整流电流:Io = 15A
  • 非重复峰值浪涌电流:Ifsm = 150A
  • 直流反向耐压:Vr = 200V
  • 反向电流:Ir = 10μA @ 200V
  • 反向恢复时间:Trr = 35ns
  • 工作结温范围:Tj = -65℃ ~ +175℃
  • 封装:ITO-220AC(绝缘或隔离型TO-220派生封装)
  • 品牌:ON(安森美)

三 关键特性与优势

  • 快恢复特性:35ns 的反向恢复时间在中高频开关环境下能显著减少恢复期间的尖峰损耗与电磁干扰,相比慢恢复二极管效率更高。
  • 低正向压降:1.05V@15A 的正向压降有助于降低导通损耗,但在满载时仍会产生较大功耗(约 1.05V×15A ≈ 15.8W),需要良好散热。
  • 高浪涌能力:150A 的单次峰值浪涌容限适合应对充电/开机瞬态和容性负载带来的冲击电流。
  • 宽工作温度:-65℃ 至 +175℃ 的结温范围提高了在苛刻环境下的可靠性和寿命。
  • 适用封装:ITO-220AC 便于安装于散热片且具有电气隔离特性(具体隔离情况请参照厂方资料)。

四 典型应用场景

  • 开关电源整流输出与输入保护
  • 电源逆变器及UPS整流/续流回路
  • 马达驱动的续流二极管与吸收回路
  • 电池充电器、适配器与工业电源
  • 高频整流、功率因数校正电路中需要兼顾恢复速度与导通损耗的场合

五 选型与使用建议

  • 散热设计:在持续 15A 工作下导通损耗显著,必须配合合适散热片或强制风冷,考虑器件至结点的热阻并预留裕度,建议参照安森美数据手册计算热阻与散热片尺寸。
  • 开关频率:35ns 的 Trr 适合中低到中等开关频率的设计;在更高频率下需评估恢复损耗和开关应力,必要时采用更低 Trr 的肖特基或同步整流方案。
  • 抑制电压尖峰:快恢复二极管在恢复过程中可能产生电压尖峰,建议在实装中增加 RC 吸收、缓冲或适当的过压保护元件。
  • 并联与退额:尽量避免并联多个整流二极管来提升电流,若确有必要应采取电流共享措施;长期工作应考虑温度退额,保证结温不超标以延长寿命。

六 使用注意事项

  • 样品评估时请以安森美官方数据手册为准,关注典型波形与额外参数(热阻、电容、最大结温等)。
  • 安装时注意封装的绝缘与螺丝扭矩要求,若需要直接接触散热片请确认是否需要绝缘垫片或使用导热硅胶。
  • 在高电压环境下布局应注意爬电距离与绝缘间隙,防止漏电或击穿。

总结:MUR1520G 以其快恢复特性、较高的浪涌能力和 200V 电压等级,在多种电源与功率转换应用中提供了良好的性能与成本平衡。正确的热管理与适当的抑制措施是确保其可靠工作的关键。