型号:

AP4310AUMTR-G1

品牌:DIODES(美台)
封装:SO-8
批次:24+
包装:标准卷带
重量:-
其他:
-
AP4310AUMTR-G1 产品实物图片
AP4310AUMTR-G1 一小时发货
描述:Op Amp Dual GP 36V 8-Pin SO
库存数量
库存:
3828
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.593
4000+
0.55
产品参数
属性参数值
放大器数双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)36V
增益带宽积(GBP)1MHz
输入失调电压(Vos)3mV
输入失调电压温漂(Vos TC)7uV/℃
压摆率(SR)500V/ms
输入偏置电流(Ib)150nA
输入失调电流(Ios)2nA
共模抑制比(CMRR)85dB
静态电流(Iq)150uA
输出电流40mA
工作温度-40℃~+105℃
单电源3V~36V

AP4310AUMTR-G1 产品概述

一、产品概述

AP4310AUMTR-G1 是美台(DIODES)推出的一款双通道通用运算放大器,封装为 SO-8。每通道具备 1MHz 的增益带宽积 (GBP) 和 500 V/µs 的压摆率,支持单电源供电范围 3V 至 36V,最大电源差可达 36V,典型静态电流仅 150µA(整芯片或单通道视产品资料),输出驱动能力可达 40mA,工作温度覆盖工业级 -40℃ 至 +105℃,适合多种工业与消费电子场景中的模拟信号处理与驱动任务。

二、主要规格亮点

  • 双通道放大器,SO-8 封装,便于 PCB 布局与批量生产;
  • 单电源工作电压:3V ~ 36V,满足宽电压系统需求;
  • 增益带宽积(GBP):1MHz,适用于中低频放大与滤波;
  • 压摆率(SR):500 V/ms,应对快速电压跃变响应良好;
  • 输入失调电压(Vos):典型 3mV,温漂 7µV/℃,适合要求稳定偏置的测量场合;
  • 输入偏置电流 Ib:150nA,输入失调电流 Ios:2nA,利于高阻抗传感器接口;
  • 共模抑制比 CMRR:85dB,抑制共模干扰能力良好;
  • 输出驱动:最大 40mA,便于驱动小功率负载或下级缓冲级。

三、性能特点与设计要点

AP4310AUMTR-G1 在通用性能与功耗之间取得平衡:1MHz 的带宽配合 500 V/ms 的压摆率,保证在常见信号链(缓冲、二阶滤波、比例放大)中的稳定响应;3mV 的输入失调和 7µV/℃ 的温漂使其在温变环境下依然保持较高的直流精度。150µA 的静态电流有利于降低系统总体功耗,但在噪声敏感或极高精度应用时仍需结合系统设计评估。

注意:规格中并未说明轨到轨输入/输出特性,对于靠近电源轨的信号处理应先验证器件在目标供电电压下的线性区域。

四、典型应用场景

  • 传感器信号调理(温度、压力、力学传感器前端);
  • 低频滤波与积分器、缓冲器(驱动 ADC 或后续放大器);
  • 工业控制与数据采集前端;
  • 音频前置放大(中低功耗场合);
  • 电源管理与比较放大器(非高速开关场合)。

五、封装与环境适用性

器件以 SO-8(8 引脚)表面贴装封装提供,便于自动化贴装及散热设计。工作温度范围 -40℃ ~ +105℃ 满足工业级应用需求。建议在高功耗或靠近热源的布局场合考虑散热通道与过孔以改善热传导。

六、布局与使用建议

  • 电源脚附近放置高频旁路电容(如 0.1µF + 10µF),尽量靠近封装引脚焊盘;
  • 输入端防护:若存在大信号或ESD风险,建议在输入端加限流电阻或钳位管;
  • 输出驱动较强但非功率运放,长时间大电流输出需注意功耗与温升;
  • 在差分或高共模干扰环境中,注意输入与接地的屏蔽及回流路径设计以发挥 CMRR 优势。

七、采购与注意事项

AP4310AUMTR-G1 适合替代通用双运放方案,采购前请确认生产批次的数据表与典型电路,特别核实输入/输出摆幅、噪声特性与封装引脚定义,以确保在目标系统中的兼容性与可靠性。