型号:

LMBR2200FT1G

品牌:LRC(乐山无线电)
封装:SOD-123FL
批次:两年内
包装:编带
重量:-
其他:
-
LMBR2200FT1G 产品实物图片
LMBR2200FT1G 一小时发货
描述:肖特基二极管 920mV 200V 3uA 2A
库存数量
库存:
406
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.264
3000+
0.234
产品参数
属性参数值
正向压降(Vf)920mV
直流反向耐压(Vr)200V
整流电流2A
反向电流(Ir)3uA
工作结温范围-40℃~+150℃
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)50A

LMBR2200FT1G 产品概述

LMBR2200FT1G 是乐山无线电(LRC)推出的一款高压肖特基整流二极管,采用 SOD-123FL 小型表面贴装封装,针对高效率电源与保护电路设计而优化。器件在保持肖特基二极管本身低正向压降、快速切换特性的同时,提供高达 200V 的反向耐压和 2A 的整流电流能力,适合中功率、开关频率较高的整流与保护场景。

一、主要性能参数

  • 型号:LMBR2200FT1G(品牌:LRC / 乐山无线电)
  • 封装:SOD-123FL(小型低剖面贴片封装)
  • 直流反向耐压(Vr):200 V
  • 额定整流电流:2 A(平均)
  • 非重复峰值浪涌电流(Ifsm):50 A
  • 典型正向压降(Vf):约 920 mV(在典型工作条件下)
  • 反向电流(Ir):典型 3 μA
  • 工作结温范围:-40 ℃ ~ +150 ℃

二、关键特性解析

  • 低正向压降:约 920 mV 的正向压降在同电流等级的肖特基中表现良好,可降低整流损耗,提高系统效率,特别是在中低压电源与降压转换器中有明显优势。
  • 低反向漏电流:反向电流典型值 3 μA,有助于在高阻态或反向偏置条件下降低能耗和温升,适用于电池供电或待机功耗敏感的系统。
  • 高反向耐压:200 V 的耐压能力使其能在隔离电源、副电源或高压输入的整流保护场合中安全工作。
  • 抗浪涌能力:50 A 的非重复峰值浪涌电流支持启动冲击或短时浪涌条件下的可靠性。

三、典型应用场景

  • 开关电源中的高频整流(二极管后的输出整流或同步整流替代)
  • 输入桥式整流与高压整流模块(尤其需要 200V 耐压时)
  • 反向极性保护与电源路径控制(用于防反接与低压压降路径)
  • 电池充放电管理与太阳能逆变器局部整流
  • 电机驱动与功率模块的续流、钳位与浪涌保护

四、封装与热管理

SOD-123FL 封装体积小、适合高密度贴装,同时具备较好的焊点热散能力。设计时建议关注焊盘尺寸与 PCB 铜箔散热面积,通过增加焊盘连接到热地或散热层来改善热阻,使器件在 2A 连续整流条件下维持合理结温。对于长时间高功率工作,应考虑器件的散热与必要的电流降额。

五、使用建议与可靠性注意事项

  • 推荐在 PCB 设计中预留合适的焊盘与散热过孔,保证热量能有效传导至基板的大面积铜箔。
  • 在封装焊接时遵循制造商的回流焊温度曲线,避免长时间超温以免影响封装与接合可靠性。
  • 对于高频开关应用,注意寄生电感与走线布局,避免因引线电感引起的过冲。
  • 器件应避免长期在最大额定结温附近工作,必要时按照产品数据手册进行温度降额使用。
  • 注意静电防护(ESD),在装配与测试过程中采取防静电措施,防止半导体结损伤。

六、选型与替代考量

LMBR2200FT1G 适合对耐压与效率有较高要求但受空间限制的设计方案。若系统需要更低 Vf 或更小封装的版本,可参考同类高压肖特基器件;若需要更高电流能力或更低漏电则需考虑更大封装或并联使用并做好热设计。

总结:LMBR2200FT1G 以其 200V 耐压、2A 整流、电流浪涌能力与 SOD-123FL 紧凑封装,成为中高压整流与保护电路中兼顾性能与体积的可靠选项。选用时请结合实际的电流、温升与 PCB 散热设计进行合理布局与降额评估。