型号:

LBSS4350SY3T1G

品牌:LRC(乐山无线电)
封装:SOT-89
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
LBSS4350SY3T1G 产品实物图片
LBSS4350SY3T1G 一小时发货
描述:三极管(BJT) 50V 3A NPN
库存数量
库存:
0
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:5000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.303
5000+
0.275
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)3A
集射极击穿电压(Vceo)50V
耗散功率(Pd)550mW
直流电流增益(hFE)200@100mA,2V
特征频率(fT)148MHz
集电极截止电流(Icbo)1uA
集射极饱和电压(VCE(sat))500mV@2A,100mA
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)6V
数量1个NPN

LBSS4350SY3T1G 产品概述

一、产品简介

LBSS4350SY3T1G 是乐山无线电(LRC)推出的一款小功率、高电流的 NPN 双极型晶体管。该器件在 SOT-89 封装下提供最高集电极电流 3A、集-射极击穿电压 50V,适用于一般开关、驱动和放大场景,兼顾开关速度与放大性能。

二、主要参数(摘要)

  • 晶体管类型:NPN
  • 最大集电极电流 Ic:3A
  • 集-射极击穿电压 Vceo:50V
  • 最大耗散功率 Pd:550mW(SOT-89)
  • 直流电流增益 hFE:200(测量条件:Ic=100mA,Vce≈2V)
  • 特征频率 fT:148MHz
  • 集电极截止电流 Icbo:1µA(典型)
  • 集-射极饱和电压 VCE(sat):≈500mV(给定条件:2A / 100mA,详见数据表)
  • 基-射击穿电压 Vebo:6V
  • 工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  • 封装:SOT-89
  • 包装及数量:常见小包装,示例数量 1 个(按需求订购)

三、特性亮点

  • 高电流能力:在小型封装下可承受高达 3A 的集电极电流,适合中小电流开关与驱动应用。
  • 良好增益:hFE≈200(在 100mA 条件下),便于作为开关前级或线性放大器使用,降低基极驱动电流需求。
  • 高频特性:fT=148MHz,支持较宽带宽的放大应用或用作驱动级时保证较快边沿响应。
  • 小型封装:SOT-89 提供较好的 PCB 布局便利性,适合空间受限的消费与工业设备。

四、典型应用场景

  • 低压直流开关、负载驱动(继电器、继电器驱动、低至中等功率电机)
  • 线性放大与前置放大器(音频前级、信号放大)
  • 电源管理与稳压器驱动(作为误差放大器或开关元件)
  • 通信设备中的中频放大或缓冲驱动(受限于功率和封装散热)

五、封装与引脚提示

SOT-89 小型塑封,便于表面贴装。常见引脚排列通常为 1=Base、2=Collector(大引脚 / 散热片)、3=Emitter,但不同厂商封装标注可能略有差异,使用前请以厂商原始数据表和封装图为准。由于 Pd 仅为 550mW,建议在 PCB 设计中使用大面积铜箔或散热过孔提高散热能力。

六、热管理与使用建议

  • 注意功耗与结温:SOT-89 的最大耗散功率有限,长时间高电流工作时需考虑结温上升并做功率降额。
  • PCB 散热:在集电极散热面周围布置足够铜箔,必要时通过多层板、过孔导出热量。
  • 饱和导通与驱动:在开关应用中,为求低 VCE(sat) 应适当提高基极电流,但基极不应超过器件最大值;具体 IB 取值参考数据表。
  • 防止基-射击穿:Vebo=6V,基极对发射极间电压需控制在安全范围内,避免反向击穿。

七、选型与替代

当需要兼顾空间、成本与适中电流时,LBSS4350SY3T1G 是一个平衡选择。若需更高功耗或更低饱和压,应考虑更大封装或功率等级的替代器件;若主要追求高频性能,可选更高 fT 的射频晶体管。

八、小结

LBSS4350SY3T1G 以 SOT-89 封装在有限空间内提供 3A 的集电极能力、50V 的耐压和较高的直流增益,适合多种通用开关与放大场景。设计中应特别关注热管理与基极驱动,以确保长期可靠性。欲获得更详细的限值、典型特性曲线和封装尺寸,请参考厂家完整数据手册。