LDTD113ZLT1G 产品概述

一、主要特性

LDTD113ZLT1G 是 LRC（乐山无线电）推出的一款 SOT-23 封装预偏置 NPN 数字晶体管，面向微控制器直接驱动与开关应用。主要特性如下：

• 集射极击穿电压 Vceo：50V
• 最大集电极电流 Ic：500mA（脉冲或短时）
• 直流电流增益 hFE：典型 82（测量条件 50mA, VCE=5V）
• 导通电压 VO(on)：典型 300mV（指定测试条件下）
• 最小输入电压 VI(on)：1.5V（保证导通门槛）
• 内置基极预偏电阻：约 1.3kΩ，电阻比率 12（器件内部设计参数）
• 封装：SOT-23，单片数量：1

二、典型电气行为与说明

预偏置结构将基极电阻集成到芯片内，便于 MCU/逻辑直接驱动，无需外接限流电阻。以 VIN=5V 为例，基极电流约 (5V–VBE)/1.3k ≈ 3.3mA，在线性区按 hFE≈82 对应的 Ic 理论值可达数百 mA，但实际开关时会进入饱和区，VCE(sat) 可降至约 300mV。需注意器件功耗 Pd=200mW，长期大电流工作受限于封装散热能力。

三、典型应用场景

• MCU/TTL 逻辑到中小功率负载（继电器驱动、LED 群、继电器或小直流电机短时驱动）
• 电平移位与缓冲（3.3V/5V 逻辑兼容）
• 通用低端开关：低侧开关、驱动晶体管前端级

四、典型电路与设计注意

• 常见连接：发射极接地，集电极接负载到 VCC，输入端直接连 MCU 引脚（考虑 VI(on)≥1.5V）；若驱动感性负载，必须在负载并联续流二极管或 RC 抑制网络。
• 功耗限制：Pd=200mW，设计时估算 P = VCE × Ic，不可长期使 P 超过 Pd；必要时增大 PCB 铜面积作为散热。
• 当需持续接近 500mA 时，建议采用并联或更大封装功率器件；短脉冲可利用器件高 Ic 能力，但应遵循脉冲评分和 TJ 限制。
• ESD 与焊接：按照常规半导体器件防静电与回流焊规范处理。

五、封装与选型建议

SOT-23 小尺寸适合空间受限应用，适合板上直接贴装。选型时关注工作电流的平均值与峰值、热设计和饱和导通电压对系统电源损耗的贡献。对引脚排列与更详细极限值，请参照 LRC 正式数据手册。

六、结论

LDTD113ZLT1G 以预偏置结构简化外部电路，适合单片机直接驱动中低功率负载与开关场合。其 50V 耐压与 500mA 峰值能力提供较大灵活性，但在高持续电流应用中需关注封装功耗和热管理。选型与电路设计请结合实际工作点与数据手册的典型测试条件进行验证。