型号:

SGM8270-2XMS8G/TR

品牌:SGMICRO(圣邦微)
封装:MSOP-8
批次:两年内
包装:编带
重量:-
其他:
-
SGM8270-2XMS8G/TR 产品实物图片
SGM8270-2XMS8G/TR 一小时发货
描述:运算放大器 SGM8270-2XMS8G/TR
库存数量
库存:
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.5466
4000+
2.4276
产品参数
属性参数值
放大器数双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)36V
轨到轨轨到轨输入,轨到轨输出
增益带宽积(GBP)2.5MHz
输入失调电压(Vos)2.8mV
输入失调电压温漂(Vos TC)800nV/℃
压摆率(SR)8V/us
输入偏置电流(Ib)300pA
输入失调电流(Ios)300pA
噪声密度(eN)15nV/√Hz@1kHz
共模抑制比(CMRR)105dB
静态电流(Iq)1mA
输出电流40mA
工作温度-40℃~+125℃
单电源3.3V~36V
双电源(Vee~Vcc)-18V~18V

SGM8270-2XMS8G/TR 产品概述

SGM8270-2XMS8G/TR 是圣邦微(SGMICRO)推出的双通道轨到轨运算放大器,针对低功耗、宽电源电压和高精度前端设计需求优化。器件在保证低静态电流的同时提供良好的带宽、噪声和驱动能力,适合便携式、工业和汽车电子等多种场景。

一、主要特性

  • 双通道运算放大器(MSOP-8 封装)
  • 轨到轨输入与轨到轨输出(Rail-to-Rail I/O)
  • 增益带宽积(GBP):2.5 MHz
  • 压摆率(SR):8 V/µs
  • 单通道静态电流(Iq):约 1 mA
  • 单电源工作范围:3.3 V 至 36 V;双电源范围:±18 V(最大电源差 36 V)
  • 输出峰值驱动能力:可达 40 mA
  • 输入失调电压(Vos):典型 2.8 mV;温漂 800 nV/°C
  • 输入偏置电流(Ib):300 pA;输入失调电流(Ios):300 pA
  • 噪声密度:15 nV/√Hz @ 1 kHz
  • 共模抑制比(CMRR):105 dB
  • 工作温度范围:-40 ℃ 至 +125 ℃

二、性能亮点与应用价值

  • 低功耗与宽电压:1 mA 的静态电流配合 3.3 V—36 V 宽电源,适用于电池供电和工业供电系统。
  • 高精度前端:低失调、低漂移和低噪声使其适合模拟传感器前端、差分放大、仪表放大器级联等高精度测量场合。
  • 良好驱动能力:40 mA 的输出电流可直接驱动中等负载,适合驱动小型执行器或低阻抗转换器。
  • 轨到轨 I/O:在低电压环境下也可实现最大信号摆幅,利于提高系统动态范围并简化电源设计。
  • 宽温度范围:-40 ℃ 至 +125 ℃ 满足汽车级或严苛工业温度要求。

三、典型应用场景

  • 传感器接口与信号调理(温度、压力、流量等高阻抗传感器)
  • 低通/带通有源滤波、积分/微分电路、AGN 放大模块
  • ADC 驱动与采样保持电路
  • 电源管理与电池监测
  • 工业控制与汽车电子(需确认具体车规认证)

四、封装与布局建议

  • 封装:MSOP-8,适合空间受限的 PCB 布局。
  • 电源旁路:建议在 Vdd/Vss 电源引脚附近放置 0.1 µF 陶瓷旁路电容,并配合 1 µF 以上低频电容以抑制电源噪声。
  • 输入保护:若可能接触高压脉冲或电磁干扰,应在输入端增加限流电阻与TVS或串联小电容,保护输入级并保证共模范围内工作。
  • 负载容性:若驱动较大电容负载,建议在输出与负载间串联小阻(10–50 Ω)以保证稳定性并减少超调。

五、设计注意事项

  • 虽支持轨到轨 I/O,但在大摆幅或高输出电流下,输出接近电源轨时可能有线性限幅,应根据系统需求留有裕量。
  • 高频性能力有限(GBP 2.5 MHz),不适用于高带宽高精度运算放大需求;适合中低速信号调理与滤波。
  • 在高温或高电压应用中,请按完整规格书确认最大功耗与封装热阻,必要时采取散热措施。

总结:SGM8270-2XMS8G/TR 综合了低噪声、低偏流、轨到轨 I/O 与宽电源电压等特性,是面向多种工业与便携式信号调理应用的高性价比双路运放选择。欲获取详细电气特性曲线与典型应用电路,请参考官方数据手册。