MMBT3904（UMW 友台）产品概述

一、主要参数概览

• 器件类型：NPN 小信号晶体管（BJT），封装：SOT-23
• 直流电流增益 (hFE)：100 @ Ic=10mA, Vce=10V
• 集电极电流 (Ic) 最大：200mA
• 集电极—射极击穿电压 (Vceo)：40V
• 耗散功率 (Pd)：150mW（SOT-23 封装）
• 集电极截止电流 (Icbo)：100nA
• 特征频率 (fT)：300MHz
• 射基极击穿电压 (Vebo)：6V
• 工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
• 品牌：UMW（友台半导体）

二、器件特点与优势

MMBT3904 属于通用型 NPN 小信号晶体管，hFE 在中等电流工作点（10mA）时可达到约100，适合作线性放大和开关驱动；高达300MHz 的特征频率意味着在VHF至较低UHF范围内仍具备良好增益特性。SOT-23 小封装便于表面贴装，适合空间受限的消费电子与通信终端设计。器件本身漏电流小（Icbo≈100nA），在高阻抗偏置电路中稳定性较好。

三、功耗与电流使用注意

尽管标称集电极峰值电流可达200mA，但SOT-23 的耗散功率为150mW，因此实际允许的持续 Ic 受限于 Pd 与工作电压。例如在 VCE=5V 时，理论上最大持续 Ic≈150mW/5V=30mA；在 VCE=10V 时则降为≈15mA。工作设计时必须根据电压降与封装散热条件进行功耗限流，避免长期工作在接近 Pd 条件下导致结温上升。

四、设计与偏置建议

• 基本偏置计算：Ib ≈ Ic / hFE。若目标 Ic=10mA，hFE≈100，则 Ib≈0.1mA，基极限流电阻可按 (Vcc−Vbe)/Ib 估算。
• 饱和开关：若用于开关饱和导通，应提供足够基极驱动（通常 Ib≈Ic/10 作保守设计）；同时注意 Vce(sat) 在饱和时降低功耗。
• 高频放大：利用 fT≈300MHz，可在小信号放大器中获得良好增益，但需注意寄生电容与布局对高频性能的影响。

五、典型应用场景

• 通用小信号放大器与前置放大电路
• 低功耗开关与驱动（逻辑电平转换、继电器/小电流负载驱动）
• 高频振荡器、放大电路（VHF/低UHF）与射频前端的增益级（需良好布局）
• 各类便携式、消费电子及通信设备的信号处理单元

六、封装与可靠性注意

SOT-23 封装便于SMT工艺，但散热能力有限，PCB 布局应考虑散热铜箔面积以提升 Pd 承载能力。焊接与回流需遵循厂家推荐的温度曲线，避免超过结温范围。注意基极-射极反向电压（Vebo=6V），在反向偏置场合切勿超过此限值以避免基极击穿。

七、选型与替代建议

MMBT3904 与 2N3904 系列电气特性兼容，适合替换通用小信号 NPN 场景；如需更高功耗承载或散热性能，可考虑 TO-92 或更大封装型号。选型时应综合考量 Vceo、Pd、fT 与实际工作电流与散热条件，确保器件在安全区（SOA）内运行。

总结：UMW 的 MMBT3904 在保持通用3904特性基础上，提供了适合表贴工艺的 SOT-23 封装与良好的高频性能，是消费电子、通信与信号处理等领域常用的通用 NPN 方案。设计时重视封装功耗限制与偏置方案，可获得可靠的长期工作表现。