型号:

LM239DR

品牌:UMW(友台半导体)
封装:SOP-14
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
-
LM239DR 产品实物图片
LM239DR 一小时发货
描述:比较器
库存数量
库存:
90
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.287
2500+
0.252
产品参数
属性参数值
比较器数四路
输入失调电压(Vos)2mV
输入偏置电流(Ib)25nA
传播延迟(tpd)300ns
输出模式TTL;CMOS
静态电流(Iq)800uA
工作温度-25℃~+85℃
最大电源宽度(Vdd-Vss)36V
单电源2V~36V
双电源(Vee ~ Vcc)1V~18V;-18V~-1V
输入失调电流(Ios)5nA
响应时间(tr)1.3us

LM239DR 产品概述

一、产品简介

LM239DR 是一款四路电压比较器,来自 UMW(友台半导体),封装为 SOP-14。该器件针对低功耗、宽电源电压范围及多种逻辑兼容性应用设计,适用于电平检测、基准比较、窗口比较和各种模拟信号判决场合。器件具有较小的输入失调电压和低输入偏置电流,便于在精度与功耗之间取得平衡。

二、主要特性

  • 四路独立比较通道(quad comparator)
  • 输入失调电压(Vos):典型 2 mV
  • 输入偏置电流(Ib):典型 25 nA
  • 输入失调电流(Ios):典型 5 nA
  • 传播延迟(tpd):约 300 ns
  • 响应时间(tr):约 1.3 μs
  • 输出兼容:TTL / CMOS(输出需上拉,见使用注意)
  • 静态电流(Iq):约 800 μA(整片或典型工作状况)
  • 工作温度范围:-25 ℃ ~ +85 ℃
  • 电源范围:单电源 2 V ~ 36 V;双电源 ±1 V ~ ±18 V;最大电源差 Vdd–Vss = 36 V
  • 封装:SOP-14

三、电气参数要点

  • 输入部分:Vos = 2 mV 表明在多数精度要求不高的模拟比较场合能够直接使用,输入偏置与失调电流较低,有利于高阻抗源的直接连接。
  • 时序性能:传播延迟约 300 ns,响应(翻转)时间约 1.3 μs,适合对速度有中等要求的检测与控制应用;对高频快速比较应评估系统整体时序。
  • 功耗与电源:静态电流 800 μA,适用于对功耗有控制要求但不要求超低功耗的便携或工业设备;宽电源范围支持从低压单电源系统到较高电压工业系统的灵活使用。
  • 输出特性:器件对 TTL/CMOS 电平兼容,但输出为开集电极/开漏式(需外接上拉电阻),上拉电阻值与上拉电压应根据负载和响应速度权衡选择。

四、典型应用场景

  • 电平检测与门限报警:用于电池电压检测、过压/欠压检测、信号比较产生报警信号等。
  • 模拟开关控制:作为阈值判断元件驱动开关器件或数字逻辑。
  • 汽车与工业控制:适应较宽电源范围与较大的温度范围,适用于传感器接口和比较控制环节。
  • 数据采集、采样保持触发与窗口比较:多路比较器适合在多通道系统中做并行比较处理。

五、使用建议与注意事项

  • 上拉电阻:由于输出为开集电极/开漏结构,必须外接上拉电阻连接到所需的逻辑电平(如 5 V 或 3.3 V)。典型上拉电阻范围可在几千欧姆到几十千欧姆之间选择(常用 4.7 kΩ ~ 100 kΩ),上拉电阻越小输出上升时间越短但功耗增加。
  • 去耦与布板:为保证稳定性与抗干扰能力,建议在电源附近放置 0.1 μF 陶瓷去耦电容,并在大电流回路附近做好接地处理。
  • 输入共模范围与饱和:实际输入共模范围及输出饱和电压随电源电压与负载而变化,建议在设计时参考详细数据手册并留有裕量。
  • 温度与漂移:高温条件下输入失调与偏置电流可能上升,长时间工作建议评估温漂对系统精度的影响。
  • 保护与隔离:若用于含有共模干扰或高压尖峰的系统,需加入限流、滤波或保护二极管以防止输入超出器件安全范围。

六、封装与可靠性

  • 封装形式:SOP-14,适合波峰/回流焊贴片工艺,适配常见印制板布局。
  • 环境与可靠性:工作温度范围 -25 ℃ ~ +85 ℃,适合民用与部分工业环境。具体可靠性指标(如寿命、蒙尘/防潮等级)请参见厂商提供的完整数据手册与能力说明。

结论:LM239DR(UMW)是一款功能完整、工作电源范围宽、适用于多种中速比较场合的四路比较器。设计时建议结合具体系统的输入电平、响应速度与功耗要求,参照厂商完整数据手册进行参数验证与 PCB 布局优化。若需更详细的电气特性曲线、管脚定义或典型应用电路,请查阅 UMW 官方数据手册或联系供应商技术支持。