2SCR573D3TL1 产品概述（ROHM）

一、概述

2SCR573D3TL1 为 ROHM（罗姆）出品的 NPN 功率晶体管，封装为 TO-252-2（DPAK），面向中功率开关与线性放大应用。器件特点为集电极电流高达 3A、集射极击穿电压 50V、耗散功率 10W，适合板载散热并要求体积小、开关速度快的场合。

二、主要电气参数

• 晶体管类型：NPN（双极结晶体管）
• 集电极电流 Ic：3A（最大）
• 集射极击穿电压 Vceo：50V
• 耗散功率 Pd：10W（需配合PCB散热）
• 直流电流增益 hFE：180（测试条件 Ic = 100mA、VCE = 3V）
• 特征频率 fT：320MHz（高频特性良好，适用于高速开关）
• 集电极截止电流 Icbo：1µA（低漏电流）
• 集射极饱和电压 VCE(sat)：约 350mV（在规定测试条件下）
• 射基极击穿电压 Vebo：6V（注意反向基-射击穿限制）
• 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃

三、性能亮点与应用场景

• 低 VCE(sat) 与较高 hFE，有利于降低导通损耗并减少驱动功率需求。
• fT=320MHz 表明在中高频开关与小信号放大中表现良好，适用于开关电源、直流电机驱动、继电器/固态继电器驱动、功率放大器和通用功率开关场景。
• TO-252-2 封装便于 SMT 工艺与板级散热，适合紧凑型电源模块和功率管理板。

四、设计与散热建议

• Pd=10W 为器件在良好散热条件下的最大消耗，实际功耗受 PCB 铜箔面积和过孔数量影响显著。建议在集电极散热面下设计大面积铜箔并使用通孔连接至背面散热层以降低结壳热阻。
• 开关工作时注意开关损耗与开关频率关系，适当控制上、下沿以减少瞬态应力。
• 若作为开关使用，为保证饱和建议采用强迫 β（例如 10~20）估算基极电流，必要时使用驱动器或并联小型驱动晶体管，避免基极过流或欠驱动。

五、可靠性与使用注意

• 遵守 Vebo（6V）限制，避免反向基-射极电压超限导致击穿。
• 高温下漏电流会增加，长期在高温高电流条件下要进行热降额设计，以延长寿命并避免热失控。
• SMT 焊接和回流曲线请参照 ROHM 的封装资料与焊接建议，避免机械应力和过温损伤。
• ESD 防护与焊接前后静电控制同样重要，推荐在生产、调试环节使用接地防护措施。

总结：2SCR573D3TL1 以其 50V/3A 的电气规格、较低饱和压降与高速特性，适合用于中功率、高频率及体积受限的电源与驱动应用。合理的 PCB 散热设计与基极驱动策略将充分发挥其性能优势。