型号:

C2012X7R1H104KT000N

品牌:TDK
封装:0805
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
C2012X7R1H104KT000N 产品实物图片
C2012X7R1H104KT000N 一小时发货
描述:贴片电容(MLCC) 50V ±10% 100nF X7R
库存数量
库存:
19484
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.127
2000+
0.114
产品参数
属性参数值
容值100nF
精度±10%
额定电压50V
温度系数X7R

TDK C2012X7R1H104KT000N 产品概述

一、产品简介

TDK C2012X7R1H104KT000N 为贴片多层陶瓷电容(MLCC),电容量 100 nF(104)、公差 ±10%(K)、额定电压 50 V、温度特性 X7R,封装为 0805(公制 2012)。该器件在体积与性能间取得平衡,是通用去耦、旁路与滤波应用的常用选择。

二、典型电气参数

  • 容值:100 nF(0.1 μF)
  • 公差:±10%
  • 额定电压:50 V DC
  • 温度系数:X7R(−55℃ 至 +125℃,在该范围内容值变化通常在 ±15% 左右)
  • 封装:0805(2012 公制)
  • 包装形式:卷盘封装,适合自动贴装

三、主要特性与优势

  • X7R 材料兼顾温度稳定性与较高体积电容量,适合绝大多数电源去耦场合;
  • 50 V 额定电压为中高压系统提供良好裕量,适用于多种模拟与数字电路;
  • 0805 封装在占板面积与可焊性之间折中,支持自动化贴片与回流焊工艺;
  • TDK 品牌保证工艺与可靠性,适合批量生产与工业等级需求。

四、典型应用

  • 电源去耦与稳压器输出滤波(DC-DC、LDO 等);
  • 高频旁路与 EMI 抑制;
  • 模拟前端与采样电路的局部滤波;
  • 工业控制、通信设备、消费电子等领域的一般电容需求。

五、选型建议与使用注意

  • 若电路存在较大直流偏置,需注意陶瓷电容在高偏置下容值下降(尤其在高介电常数材料),建议在选型时参考器件在偏置电压下的实际容值曲线;
  • 考虑到 X7R 在温度循环与老化下容值会有一定变化,关键精度场合可采用并联方式或选用温度系数更好的 C0G/NP0 系列;
  • 焊接时采用推荐回流温度曲线,避免过度机械应力影响可靠性;对于有热循环或机械振动的应用,注意板上布局与焊点缓冲。

六、可靠性与环境

TDK MLCC 符合相关工业标准的可靠性测试(如温度循环、湿热、机械冲击等),并提供 RoHS 合规信息。实际应用中建议结合具体使用环境验证寿命与性能。

以上为 C2012X7R1H104KT000N 的概要说明,适用于在电路设计与元件选型时作为参考。若需更详细的电气特性曲线、封装图或可靠性数据,请参考 TDK 官方规格书。