BSS126IXTSA1 产品概述
概要
BSS126IXTSA1 是由 Infineon Technologies 制造的 N 通道 MOSFET，属于 SIPMOS® 系列。这个设备以其高性能和紧凑的设计而闻名，适用于各种电子应用，特别是在需要高电压和低功耗的情况下。
基础参数
- 制造商: Infineon Technologies
- 系列: SIPMOS®
- 包装: 卷带（TR）
- 零件状态: 有源
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物）
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 21mA（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 500 欧姆 @ 16mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.6V @ 8µA
- Vgs（最大值）: ±20V
- 功率耗散（最大值）: 500mW（Ta）
- 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型: 表面贴装型
- 供应商器件封装: PG-SOT23-3-5
- 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 漏源电压（Vdss）: 600V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 1.4nC @ 5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 21pF @ 25V
特性和优势
高电压耐受性
BSS126IXTSA1 具有高达 600V 的漏源电压（Vdss），使其适用于高压应用，如电源转换、电机驱动和高压开关电路。
低导通电阻
在 16mA 和 10V 的条件下，导通电阻仅为 500 欧姆，这降低了能量损耗并提高了效率。
低阈值电压
阈值电压（Vgs(th)）为 1.6V @ 8µA，这意味着该 MOSFET 可以在较低的栅极电压下打开，适用于低功耗应用。
宽工作温度范围
该设备可以在 -55°C 到 150°C 的广泛温度范围内工作，使其适用于各种环境条件下的应用。
紧凑封装
采用 SOT-23-3 封装，BSS126IXTSA1 非常适合空间有限的设计，能够满足现代电子产品对小型化和高集成度的需求。
低栅极电荷
栅极电荷（Qg）仅为 1.4nC @ 5V，这有助于减少开关时间和提高系统的整体性能。
低输入电容
输入电容（Ciss）为 21pF @ 25V，这进一步优化了开关特性和系统稳定性。
应用场景
电源转换
BSS126IXTSA1 可用于 DC-DC 转换器、开关模式电源（SMPS）和其他高效电源解决方案中，其高电压耐受性和低导通电阻使其成为理想选择。
电机驱动
在电机驱动应用中，BSS126IXTSA1 的高电压和低阈值电压特性使其能够高效地控制电机运行。
高压开关电路
该设备也适用于各种高压开关电路，如照明控制、传感器驱动等场景。
自动化和工业控制
由于其宽工作温度范围和高可靠性，BSS126IXTSA1 也常用于自动化设备、工业控制系统等领域。
总结
BSS126IXTSA1 是一款功能强大的 N 通道 MOSFET，通过其高电压耐受性、低导通电阻、低阈值电压以及紧凑的 SOT-23-3 封装，提供了广泛的应用可能性。它是现代电子设计中提高效率、降低能耗和增强可靠性的理想选择。