型号:

NCEP0178AF

品牌:NCE(新洁能)
封装:TO-220F
批次:-
包装:管装
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其他:
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产品参数
属性参数值
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)78A
导通电阻(RDS(on))12mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)50W
阈值电压(Vgs(th))2.2V@250uA
栅极电荷量(Qg)65nC@10V
输入电容(Ciss)5.48nF
反向传输电容(Crss)30pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)425pF

NCEP0178AF 产品概述

一、产品简介

NCEP0178AF 是 NCE(新洁能)推出的一款高压 N 沟道功率 MOSFET,额定漏源电压 Vdss = 100V,连续漏极电流 Id = 78A(器件额定条件下),在栅极驱动电压 4.5V 时的导通电阻 RDS(on) 为 12mΩ。器件采用 TO-220F 绝缘封装,适用于中高功率开关和线性功率管理场合。

二、主要电气参数(关键信息)

  • 类型:N 沟道 MOSFET
  • 漏源电压 Vdss:100V
  • 连续漏极电流 Id:78A
  • 导通电阻 RDS(on):12mΩ @ Vgs = 4.5V
  • 阈值电压 Vgs(th):2.2V @ 250µA
  • 总栅电荷 Qg:65nC @ 10V
  • 输入电容 Ciss:5.48nF
  • 输出电容 Coss:425pF
  • 反向传输电容 Crss(Crss/Crss):30pF
  • 功耗 Pd:50W
  • 工作温度范围:-55℃ ~ +175℃
  • 封装:TO-220F(绝缘)

三、产品特点与优势

  • 低导通阻抗:12mΩ@4.5V 的 RDS(on) 表明在较低逻辑电平驱动下即可保持较低 conduction loss,适合 5V 驱动或门极驱动电压受限的系统。
  • 中高电流能力:78A 的额定电流(在适当散热条件下)可满足大部分汽车电子、伺服与驱动类负载需求。
  • 合理的栅极电荷与电容:Qg = 65nC、Ciss = 5.48nF,表示器件在中频(几十 kHz~几百 kHz)开关应用中具有可接受的开关损耗与驱动功率需求,但对高频(>500kHz)需优化驱动。
  • 宽温度范围与高功耗处理能力:工作温度最高可达 175℃,并配合 TO-220F 封装便于加装散热器,适合苛刻环境。

四、典型应用场景

  • DC-DC 降压转换器(同步整流或主开关)
  • 电机驱动与伺服放大器(低压大电流通断)
  • 电源管理与负载开关(如电源保护、逆变器)
  • 汽车电子(需注意车规认证)与工业电源模块

五、设计与使用建议

  • 栅极驱动:尽管在 4.5V 下已有较低 RDS(on),若追求更低导通损耗建议在允许情况下采用 10V 驱动;注意 Qg = 65nC 意味着瞬间需要较大的驱动峰值电流以获得快速开关。
  • 散热管理:器件 Pd = 50W 为理想条件下的耗散能力,实际应用应结合封装热阻、散热片或底板散热设计,避免长时间在高结温下工作以保证可靠性。
  • 开关损耗评估:使用 Coss、Crss 与 Qg 指标估算开关能量与反向恢复相关损耗,必要时配合缓冲网络或软切换拓扑降低应力。
  • 封装与机械:TO-220F 绝缘封装便于直接固定散热器且电气隔离底板,但仍需注意螺栓力矩和热界面材料的选择以优化热阻。
  • 保护与可靠性:建议在开关节点加入适当的 TVS 或 RC 缓冲以限制电压尖峰,并在设计中考虑短路保护、过温关断以及稳定的栅极驱动回路。

总结:NCEP0178AF 在 100V、低 RDS(on) 与较大电流能力之间取得了平衡,适合需要较低导通损耗且对驱动电压要求不高的中高功率应用场景。在系统设计中应重点关注栅极驱动能力与散热布局以发挥器件最佳性能。