型号:

TLV272IS-13

品牌:DIODES(美台)
封装:SO-8
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
TLV272IS-13 产品实物图片
TLV272IS-13 一小时发货
描述:运算放大器 2V/us 双路 1pA 1.9MHz
库存数量
库存:
7
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.14
2500+
1.08
产品参数
属性参数值
放大器数双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)16V
轨到轨轨到轨输出
增益带宽积(GBP)2MHz
输入失调电压(Vos)500uV
输入失调电压温漂(Vos TC)6uV/℃
压摆率(SR)2V/us
输入偏置电流(Ib)1pA
输入失调电流(Ios)60pA
噪声密度(eN)35nV/√Hz@1kHz
共模抑制比(CMRR)80dB
静态电流(Iq)550uA
输出电流13mA
工作温度-40℃~+125℃
单电源2.7V~16V
双电源(Vee~Vcc)-8V~-1.35V;1.35V~8V

TLV272IS-13 产品概述

一、核心特性

TLV272IS-13 是 DIODES(美台)推出的双路运算放大器,面向对低偏流、低失调与轨到轨输出有要求的模拟前端应用。器件支持单电源 2.7V 至 16V,亦可在双电源配置下工作(Vee~Vcc 范围可覆盖 ±1.35V 至 ±8V),最大电源差为 16V。主要电气参数包括:增益带宽积约 1.9–2MHz,压摆率 2V/μs,输入偏置电流仅 1pA,输入失调电压典型 500μV,温漂 6μV/℃,噪声密度 35nV/√Hz(@1kHz),共模抑制比 80dB,静态电流 Iq 约 550μA,最大输出电流 13mA。封装形式为 SO-8。

二、性能亮点与优势

  • 低输入偏置电流(1pA):非常适合高阻传感器、霍尔、热电偶与电容式传感器等高阻抗信号源的放大,能够显著降低误差和漂移。
  • 低失调与低温漂(500μV / 6μV/℃):减少初始校准需求,提高长期精度。
  • 轨到轨输出:在低电源电压下也能获得更大的输出摆幅,适合单电源供电的便携与电池供电系统。
  • 适中噪声与带宽(35nV/√Hz;~2MHz):在低频至中频范围内能维持较好的信噪比,适合传感器信号调理与 ADC 驱动。
  • 宽温度范围(-40℃~+125℃):工业级可靠性,可应用于严苛环境。

三、典型应用场景

  • 精密传感器前端(电流/电压测量、热敏、电阻桥等)
  • 生物与医疗仪器的低频信号放大(对偏置电流与失调漂移敏感的场合)
  • 电池供电/手持设备中的缓冲与电平移位(轨到轨输出优势明显)
  • 低噪声模拟滤波器、仪表放大器和 ADC 驱动电路(中等带宽要求)
  • 光电探测与电荷放大(注意根据带宽与输出驱动能力设计反馈网络)

四、设计注意事项

  • 带宽与增益:器件增益带宽积约 2MHz,闭环增益较高时带宽将下降,适用于低频到中频增益设计。
  • 压摆率限制:2V/μs 的压摆率在快速阶跃或大幅度输出切换时会引入失真,设计时应评估输出摆幅与所需频率的关系。
  • 输出驱动能力:最大输出电流约 13mA,驱动低阻负载或大电容时需注意可能的压降与稳定性问题。
  • 共模范围与输入保护:尽管支持轨到轨输出,输入共模及差模超出规格会影响线性度或触发内部保护,建议在设计中加入适当的限流或保护电路。
  • 噪声与滤波:若对低频噪声(1/f)敏感,可配合合适的滤波与慢变换技术以优化整体系统性能。

五、封装与选型建议

TLV272IS-13 提供 SO-8 封装,便于常见 PCB 工艺和手工焊接。选型时应根据系统对带宽、噪声、输出驱动与功耗的权衡来决定是否采用本器件:若目标为低偏置电流、高精度且带宽需求不高(≤几百 kHz),TLV272IS-13 是性价比较高的选择;若需要更高带宽或更强驱动能力,应考虑其他高速放大器。

结论:TLV272IS-13 将低偏置电流、低失调与轨到轨输出结合在紧凑的双通道封装中,适合精密传感与低功耗模拟前端应用。在设计时关注带宽与压摆率限制、输出驱动及输入保护,可以充分发挥其在工业与便携产品中的优势。