IRS25752LTRPBF 产品概述

一、产品简介

IRS25752LTRPBF 是英飞凌（Infineon）出品的一款单通道高边 MOSFET 门极驱动器，封装为 SOT-23-6。该器件专为驱动高边功率 MOSFET 设计，适用于10V~18V 的工作电源范围，提供快速的开关响应与可靠的欠压保护（UVP），适合汽车电子、工业电源及电机驱动等场景。

二、主要电气性能

• 驱动配置：高边单通道（single transistor, high-side）
• 灌电流 (IOL)：240 mA（下拉能力）
• 拉电流 (IOH)：160 mA（上拉能力）
• 工作电压范围：10 V ~ 18 V
• 上升时间 (tr)：约 85 ns；下降时间 (tf)：约 40 ns
• 传播延迟：tpLH ≈ 140 ns，tpHL ≈ 215 ns
• 静态电流 (Iq)：约 100 µA（低待机功耗）
• 工作结温：-55 ℃ ~ +150 ℃（Tj）

三、特色与保护

IRS25752LTRPBF 集成欠压保护（UVP），在供电电压低于安全阈值时自动禁止输出，防止 MOSFET 未完全导通导致的损坏或异常发热。低静态电流特性有利于节能与长时间待机应用。

四、应用建议

• 布局：驱动脚到 MOSFET 门极的走线应尽量短，减小寄生电感；驱动电源引脚须靠近器件放置去耦电容（建议使用低 ESR 陶瓷电容）。
• 门极阻值：根据 MOSFET 的栅电容与系统对开关损耗/振铃的权衡，建议在 10Ω–100Ω 范围内选取门极电阻。
• 散热：SOT-23-6 封装尺寸小，注意器件附近热源布局与四周铜箔散热，避免长期大电流下结温超限。

五、典型应用场景

汽车负载开关、高边电源开关、电机驱动前端、DC-DC 转换器高边开关、功率管理模块等场合，尤其适合需要紧凑封装与可靠欠压保护的设计。

六、封装与选型

封装：SOT-23-6，利于空间受限的应用。选型时请参考英飞凌官方数据手册获取完整引脚定义、绝对最大额定值与典型应用电路，以保证电气与热特性满足系统要求。