SN74HCT245DBR 产品概述

一、器件简介

SN74HCT245DBR 是 TI（德州仪器）生产的八位双向总线收发器，属于 74HCT 系列。器件提供三态输出（输出使能可置为高阻态），支持双向数据传输，适用于 5V 系统的总线隔离、缓冲与驱动场合。封装为 SSOP-20（208 mil），器件号后缀 DBR 表示卷带包装。

二、主要参数与性能

• 工作电压：4.5 V ~ 5.5 V（典型 5 V 系统）
• 通道数：1 个器件，8 位并行通道（A 与 B 两侧总线）
• 通道类型：双向（方向控制）
• 输出类型：三态（使能后进入高阻）
• 驱动能力：IOL = 6 mA，IOH = 6 mA（单端）
• 静态电流 Iq：典型 80 μA，低功耗设计
• 传播延迟 tpd：约 14 ns（5 V，CL = 50 pF）
• 工作温度：-40 ℃ ~ +85 ℃
• 系列特性：HCT（High-Speed CMOS TTL compatible），输入阈值与 TTL 兼容

三、功能要点与使用说明

SN74HCT245 通过方向（DIR）引脚控制数据流向：当 DIR 置位时数据从 A→B，反之从 B→A；输出使能（/OE）为低有效，拉低时双侧驱动有效，高电平时输出进入高阻态。器件为非反相总线收发器，适合并行总线驱动与总线共享场景。HCT 系列输入阈值与 TTL 兼容，常用于将 3.3 V 逻辑作为输入驱动器件并输出 5 V 逻辑，但具体电平兼容性应参考数据手册中的 VIH/ VIL 规范。

四、典型应用场景

• 微控制器/外设数据总线缓冲与隔离（并行数据口扩展）
• 存储器与总线接口驱动（避免直接总线冲突）
• 多主机共享总线的仲裁与三态控制
• 从板到板的短距离并行信号驱动（注意线长与负载）

五、设计与布局建议

• VCC 旁靠近器件放置 0.1 μF 去耦电容，并靠近电源引脚焊盘布局，减少瞬态噪声。
• 未使用的输入引脚应固定为有效电平，避免浮空引入噪声；输出进入高阻时，总线侧需配合上拉/下拉电阻以定义静态电平。
• 避免在双向总线上出现同时驱动（bus contention），通过严格控制 /OE 与 DIR 引脚避免短路电流。
• 长线或大负载场合考虑阻尼、差分布局或增加缓冲级，单片输出驱动能力为 6 mA，不宜直接驱动高电流负载（如大功率 LED）。
• PCB 布局注意散热与焊盘尺寸，SSOP-20 为细间距封装，焊接工艺需控制回流曲线。

六、选型与替代

SN74HCT245DBR 为常用的 8 位 HCT 总线收发器，TI 提供多种封装（DIP、SOIC、SSOP）与库存形式。若需更高驱动能力或更低传播延迟，可考虑其他家族（如 74ACT、74F）或专用缓冲器；如需多电压翻译则选择专用电平转换器。

总结：SN74HCT245DBR 在 5 V 体系下提供可靠的八位双向缓冲与三态控制，低静态电流与 TTL 兼容的输入使其在并行总线管理、信号隔离与模块化设计中应用广泛。使用时注意电源去耦、总线定义与避免并行驱动冲突。