YJD18GP10A 产品概述

一、产品简介

YJD18GP10A 是扬杰（YANGJIE）推出的一款 P 沟道功率 MOSFET，单只器件，额定漏源电压 100V，连续漏极电流 18A，最大耗散功率 72W。器件封装为 TO-252（DPAK），工作温度范围宽（-55℃ 到 +150℃），适用于需要高侧开关、保护与电源管理的工业与消费类电路。

二、主要特性

• 类型：P 沟道场效应管（P-MOSFET）
• Vdss：100V（耐压等级，适合中高电压开关场景）
• 连续漏极电流 Id：18A（在合适散热条件下可长期导通）
• 导通电阻 RDS(on)：90 mΩ（在栅源电压 |Vgs|＝10V 时测定）
• 栅阈电压 Vgs(th)：1.8V（参考值，表示器件开始导通的门限）
• 总栅电荷 Qg：20.1 nC（在 10V 驱动时），驱动损耗低，易于驱动
• 输出电容 Coss：119 pF；输入电容 Ciss：1.051 nF；反向传输电容 Crss：25 pF（@50V），有利于开关性能与稳定性
• 耐温范围：-55℃ ~ +150℃（适用于严苛环境）
• 封装：TO-252（DPAK），便于表贴与板级散热处理

三、规格解读与应用影响

1. 导通损耗与热设计
   导通损耗 Pcon ≈ I^2 × RDS(on)。例如：在满载 18A 条件下，Pcon ≈ 18^2 × 0.09 ≈ 29.16W；在 10A 时约为 9W，在 5A 时约为 2.25W。相比器件最大耗散 72W，若 PCB 和散热设计得当（大铜层、过孔导热或外接散热片），器件可在高电流工况下可靠工作。

2. 开关与驱动性能
   总栅电荷 Qg = 20.1 nC（10V），单次开关时栅驱能量近似 E ≈ 0.5 × Qg × V ≈ 100.5 nJ；栅驱损耗可按 Pgate ≈ Qg × Vdrive × f 估算。举例在 100 kHz 下、Vdrive = 10V，栅驱损耗约为 20.1 mW，驱动负担较小。较小的 Crss（25 pF）有利于降低米勒效应对开关速度的影响。

3. P 沟道使用要点
   P-MOS 常用于正轨高侧开关，栅极需相对于源极拉低以导通（即 Vgs 为负值）；在设计高侧驱动时需保证门极允许的电压幅度与驱动器范围，建议在驱动回路中加入限流电阻、门极吸收或栅极保护电路以避免过冲或损坏。

四、典型应用场景

• 高侧电源开关（白电源管理、便携电源、充电器）
• 线路保护与反接保护电路（电池正极断开）
• 负载开关与电源分配（通信、工业控制）
• 低至中功率 DC-DC 变换器与负载隔离场景 （对于高效率或高频同步整流场合，通常优先选用 N 沟道器件；P 通道优势在于驱动简便的高侧实现）

五、封装与散热建议

• TO-252（DPAK）为表面贴装功率封装，建议在 PCB 设计时为引脚与散热脚区域布置足够的铜箔面积与多通孔导热到背面散热层，以减少结-环境热阻。
• 需要长期大电流工作时，应评估 PCB 铜箔面积、过孔数量与层间散热路径，必要时配合金属散热片或散热垫片。
• 在开关频率较高或有大能量冲击时，注意布局以缩短电感环路并降低 EMI。

六、选型与使用注意

• 在实际电路中，应参考完整数据手册确认最大 Vgs（栅源最大允许电压）、浪涌电流能力与脉冲额定值，避免仅凭部分参数做最终选型。
• 在高侧应用中，确认驱动电平能产生足够的 |Vgs|（例如常用驱动为 10V），并在门极加入合适的限流/RC 阻尼以抑制振铃与应力。
• 对于热应力与长期可靠性，建议在目标工作温度下做热仿真或实测验证，确保 MOSFET 在最大负载下结温满足器件寿命要求。

YJD18GP10A 以 100V 耐压、较低的 RDS(on) 与较小的栅电荷为优势，适合需要可靠高侧开关与中等功率管理的应用场景。选型时请结合完整数据手册与实际热设计验证最终方案。