型号:

BYW56-TAP

品牌:VISHAY(威世)
封装:SOD-57
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
BYW56-TAP 产品实物图片
BYW56-TAP 一小时发货
描述:雪崩二极管 1V@1A 1kV 1uA@1kV 2A
库存数量
库存:
10578
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:5000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.42
5000+
1.36
产品参数
属性参数值
正向压降(Vf)1V@1A
直流反向耐压(Vr)1kV
整流电流2A
反向电流(Ir)1uA@1kV
反向恢复时间(Trr)4us
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)50A
雪崩能量(非重复)20mJ
工作结温范围-55℃~+175℃

BYW56-TAP 产品概述

一、概述

BYW56-TAP 是 VISHAY(威世)提供的一款高电压雪崩二极管,适用于高压脉冲保护与整流场合。器件在正向工作时 Vf = 1.0 V @ 1 A,反向直流耐压 Vr = 1 kV,反向漏电流 Ir = 1 μA @ 1 kV,整流电流 2 A,具有良好的高压耐受能力与低漏电特性。封装为 SOD-57,体积小,适合空间受限的应用板上焊接或点对点连接。

二、主要参数速览

  • 正向压降(Vf):1 V @ 1 A
  • 直流反向耐压(Vr):1 kV
  • 整流电流:2 A(连续)
  • 反向漏电流(Ir):1 μA @ 1 kV
  • 反向恢复时间(Trr):4 μs
  • 非重复峰值浪涌电流(Ifsm):50 A(单次)
  • 雪崩能量(非重复):20 mJ
  • 工作结温范围:-55 ℃ ~ +175 ℃
  • 封装:SOD-57(轴向/小型封装)

三、关键特性及工程意义

  • 高压耐受:1 kV 的反向耐压使其适合直流高压回路、HV 电源、测量与防护电路。
  • 低漏电:1 μA @ 1 kV 的低反向电流,有利于高阻抗电路与精密测量场景,减小待机能耗与静态误差。
  • 雪崩吸能:20 mJ 的非重复雪崩能量与 50 A 峰值浪涌能力,可以承受瞬态过电压或浪涌冲击,但仅限非重复或受控条件。
  • 中等反向恢复(Trr = 4 μs):适合多数开关、整流与保护用途,但在高频开关电源中需评估开关损耗与电磁干扰影响。

四、典型应用场景

  • 高压整流与二极管稳压/钳位电路
  • 浪涌与脉冲保护(如感性负载断开瞬变、浪涌吸收)
  • 通信/测量设备中的高压保护与隔离电路
  • 工业电源与试验台的瞬态防护元件

五、选型与使用建议

  • 在可能出现重复脉冲的环境,应保证雪崩能量与平均功率在安全范围,避免连续在雪崩区工作。
  • 若存在大能量或多次浪涌,应并联或选用更高能量吸收器件,并设计合适的保险/限流保护。
  • 对于高频整流或快速开关场合,评估 Trr 对开关损耗与 EMI 的影响,必要时选择快恢复或肖特基器件。
  • 在高温工作环境应考虑结温漂移与额定降额,参考器件的热阻与系统散热设计。

六、封装与热管理注意

SOD-57 封装体积小,热阻相对较高。实际使用中需注意:

  • 安装时保证良好散热路径(铜箔面积/散热片或导线散热)。
  • 避免在超过额定结温下长时间工作;在高温环境应适当降额以延长寿命。
  • 在浪涌事件后检查器件是否发生隐裂或参数漂移,必要时更换。

七、检测与可靠性要点

  • 出厂及设计验证时应做反向漏电、正向 Vf、耐压及浪涌冲击试验,确认符合规格。
  • 对长期可靠性,重点关注在高压/高温下的漏电增长与触发雪崩后的参数稳定性。
  • 设计中尽量避免在雪崩区长期工作,除非是专门的钳位/吸能设计并经严格验证。

小结:BYW56-TAP 以其 1 kV 耐压、低漏电与较好浪涌吸收能力,适合高压整流与瞬态保护场合。在设计中需重视热管理、雪崩能量限值与反向恢复特性,合理匹配保护电路与机械封装,方能发挥稳定可靠的性能。