IRFR120NTR 产品概述

一、概览

IRFR120NTR 为友台半导体（UMW）出品的 N 沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 100V，连续漏极电流 9.4A，适用于中等电压等级的开关与功率管理场合。封装为常用的 TO-252（DPAK），便于表面贴装与散热处理。

二、主要电气参数

• 漏源耐压 (Vdss)：100V
• 连续漏极电流 (Id)：9.4A
• 导通电阻 (RDS(on))：210mΩ，测量条件 Vgs=10V
• 阈值电压 (Vgs(th))：4V（测量电流 250µA）
• 功率耗散 (Pd)：48W（实际热性能视 PCB 与环境而定）
• 总栅极电荷 (Qg)：25nC
• 输入电容 (Ciss)：330pF；反向传输电容 (Crss)：54pF；输出电容 (Coss)：92pF
• 工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

三、特性与优点

1. 100V 电压等级适合中高压开关，兼顾耐压与开通损耗。
2. TO-252 封装有利于在有限空间内实现良好热路径和可靠焊接。
3. Qg 与 Ciss 等参数处于中等水平，适合中频开关应用，驱动功率可控。
4. 宽工作温度范围提高了在工业级与汽车类环境下的可靠性（详细寿命与应力限值请参考完整数据手册）。

四、典型应用

适用于 DC-DC 转换器、开关电源、逆变器前端、继电器替代、负载开关以及电机驱动等需要 100V 级别开关的场合。

五、设计与使用建议

1. 推荐栅极驱动电压靠近 10V 以获得标称 RDS(on)；若使用低电压驱动需重新评估导通损耗。
2. 关注开关损耗：Qg 与 Crss 对开关时间与死区控制影响明显，快速开关时需考虑驱动能力与抑振措施。
3. 热设计：标称 48W 为理想条件下数值，实际应以 PCB 铜箔面积、过孔散热与环境温度为准，必要时并联器件或加装散热。
4. 保护与可靠性：在高压或高频应用中建议配合软启动、电流限流与斜率控制，避免器件在高应力下长期工作。

六、选型与注意事项

在最终选型前，应核对完整数据手册中的极限参数（如最大 Vgs、脉冲电流能力、SOA 等）以及封装引脚排列与焊接工艺要求，确保在目标应用下器件余量充足并满足热稳定性。