型号:

NSI8222N1-DSPR

品牌:NOVOSENSE(纳芯微)
封装:SOP-8
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
NSI8222N1-DSPR 产品实物图片
NSI8222N1-DSPR 一小时发货
描述:数字隔离器 SOP8 SMT 2.5~5.5V
库存数量
库存:
833
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
3.65
100+
3.05
1250+
2.77
2500+
2.66
产品参数
属性参数值
正向通道数1
反向通道数1
最大数据速率150Mbps
默认输出高电平
隔离电压(Vrms)5000
CMTI(kV/us)250kV/us
工作温度-40℃~+125℃

NSI8222N1-DSPR 产品概述

一、产品简介

NSI8222N1-DSPR 是纳芯微(NOVOSENSE)推出的一款单通道双向数字隔离器,采用 SOP-8 表面贴装封装,工作电压范围为 2.5V 至 5.5V。器件主要用于在不同参考地之间实现高速、可靠的数字信号隔离,典型最大数据速率可达 150 Mbps,具备工业级工作温度范围(-40℃ 至 +125℃)与高耐压隔离能力,适配多数工业与嵌入式应用场景。

二、主要电气参数

  • 最大数据速率:150 Mbps(单通道)
  • 工作电压:2.5 V ~ 5.5 V(双侧对称供电)
  • 默认输出(Failsafe):高电平(Power-up / 停电时输出为高电平)
  • 隔离电压:5000 Vrms(隔离耐压)
  • 正向通道数:1,反向通道数:1(双向/对向各一)
  • CMTI(共模瞬变抗扰度):250 kV/μs
  • 工作温度:-40℃ ~ +125℃
  • 封装:SOP-8(SMT)

三、产品特点与优势

  • 高速传输:支持高达 150 Mbps 的数字信号,满足 SPI、UART 等高速串行或并行接口的隔离需求。
  • 强抗扰动能力:250 kV/μs 的 CMTI 可有效抑制由高 dv/dt 引起的误动作,适合开关电源、变频器等高噪声环境。
  • 高可靠隔离:5000 Vrms 隔离电压,提供良好的线与线、线与地安全隔离能力(设计时仍需满足系统级爬电、气隙要求)。
  • 宽温度范围:-40℃ ~ +125℃,适合工业级与极端环境应用。
  • 故障安全输出:默认高电平输出,有助于系统在断电或异常时进入已知安全状态。
  • 小型 SOP-8 封装,便于 PCB 布局与量产 SMT 制程。

四、典型应用场景

  • 工业控制:PLC、驱动器、传感器接口与电机控制信号隔离。
  • 电源与逆变系统:功率级与控制级之间的信号隔离,抗干扰要求高的场合。
  • 通信隔离:串口(UART)、SPI 总线和其他点对点数字接口的隔离保护。
  • 测试与测量设备:隔离数据采集通道,保护下位机与被测体之间的电气安全。
  • 医疗电子(需按系统认证要求评估):用于降低低压控制电路与患者连线之间的耦合风险(需配合合规认证)。

五、设计与使用建议

  • 供电与去耦:在 VCC1 与 VCC2 引脚各并联 0.1 μF 陶瓷电容,尽量贴近器件引脚以降低寄生与瞬态干扰。
  • PCB 布局:保持隔离区的物理间距(爬电、气隙)与相应的接地策略,避免隔离两侧信号回路交叉。
  • 接地与滤波:隔离侧各自形成独立地线,不直接连接,必要时通过受控的接口(如光耦或电容隔离)进行通信。对易受干扰的输入信号使用差分或串联阻尼以提高稳定性。
  • 温度与散热:SOP-8 封装需考虑焊盘和 PCB 散热性能,长时间在高温环境下运行时注意总功耗与周边器件热耦合。
  • EMC 抗扰:在强共模干扰环境中可增加磁珠、共模滤波器或 RC 滤波以进一步提高抗扰能力。

六、封装与可靠性

SOP-8 表面贴装封装适合自动化贴装与回流焊工艺,器件同时满足工业级温度范围与高 CMTI 指标。出厂已通过常规品质测试(如焊接耐受、温度循环等),在实际系统设计中仍应进行整机级别的可靠性验证与电气安全测试(隔离耐压、绝缘老化等)。

七、选型与采购建议

在选型时,请结合系统所需的隔离等级、数据速率、工作电压与工作环境等要求,确认 NSI8222N1-DSPR 的参数满足整体设计需求。若有特殊认证(如医用/铁路/车规)需求,请与供应商确认具体器件是否具备相应资质或推荐的替代型号。

如需进一步的引脚定义、参考电路图和 PCB 布局范例,可向纳芯微获取详细的数据手册与应用笔记,以便在硬件开发过程中获得最佳性能与可靠性。