型号:

MTLP521-1GB(DIP)

品牌:MSKSEMI(美森科)
封装:DIP-4
批次:25+
包装:管装
重量:-
其他:
-
MTLP521-1GB(DIP) 产品实物图片
MTLP521-1GB(DIP) 一小时发货
描述:未分类
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0.295
产品参数
属性参数值
输入类型DC
输出类型光电三极管
正向压降(Vf)1.4V
输出电流50mA
隔离电压(Vrms)5kV
直流反向耐压(Vr)6V
负载电压80V
输出通道数1
集射极饱和电压(VCE(sat))250mV@2mA,5mA
上升时间(tr)2us
下降时间3us
工作温度-55℃~+110℃
电流传输比(CTR)最小值100%
电流传输比(CTR)最大值/饱和值600%
总功耗(Pd)200mW
正向电流(If)50mA

MTLP521-1GB (DIP) 产品概述

一、产品简介

MTLP521-1GB 是 MSKSEMI(美森科)推出的一款单通道光电三极管式光耦合器,采用 DIP-4 插件封装,适用于需要电气隔离且信号传输速度适中的应用场合。器件内部由输入 LED 与光电三极管组成,提供高达 5kVrms 的隔离耐压,确保低压侧与高压侧之间的可靠隔离与信号传递。

二、主要参数

  • 隔离电压 (Vrms):5kV
  • 电流传输比 (CTR):最小 100% / 最大 (饱和值) 600%
  • 输入类型:DC(直流驱动)
  • 反向耐压 (Vr):6V
  • 正向压降 (Vf):1.4V(典型)
  • 正向电流 (If):最大 50mA
  • 输出类型:光电三极管
  • 输出电流:50mA
  • 集射极饱和电压 VCE(sat):250mV @ 2mA, 5mA
  • 上升时间 (tr):2μs,下降时间 (tf):3μs
  • 负载电压:80V
  • 总功耗 (Pd):200mW
  • 工作温度:-55℃ ~ +110℃
  • 输出通道数:1
  • 封装:DIP-4

三、特点与优势

  • 高隔离强度:5kVrms 的绝缘等级,适用于需要严格隔离的工业与电源应用。
  • 宽 CTR 范围:100% 至 600% 的 CTR,使得在低驱动电流下也能获得较高输出响应,便于在不同负载与增益需求下灵活使用。
  • 低 VCE(sat):250mV 的饱和压降在一定输出电流下可降低功耗与发热。
  • 中速响应:2μs/3μs 的上、下降时间适合一般信号隔离、逻辑接口与控制回路。
  • 宽温度工作范围:-55℃ 至 +110℃,适应恶劣环境应用。

四、典型应用场景

  • 工业控制信号隔离(PLC、驱动器接口)。
  • 开关电源与电源监控隔离。
  • 模拟与数字电路的地隔离、噪声抑制。
  • 测量仪器与通信接口的保护隔离。

五、使用建议与注意事项

  • 驱动与限流:根据 Vf = 1.4V 及所用供电电压,配置合适的限流电阻。例如在 5V 驱动且目标 If=10mA 时,R ≈ (5−1.4)/0.01 ≈ 360Ω。避免长期工作在最大 If(50mA) 以延长器件寿命。
  • 考虑 CTR 波动:CTR 与温度、If 等相关,设计电路时留出裕量,必要时并联/放大输出以满足负载要求。
  • 散热与功耗:总功耗 Pd 为 200mW,应用时关注功耗分布与周围器件散热。
  • 安全与可靠性:保持输入与输出侧足够的爬电与冲击距离,遵循系统的安全规范以发挥 5kVrms 隔离能力。
  • 焊接与存储:遵循通用电子元器件焊接规范,避免机械应力与潮湿环境长时间存放。

六、封装与引脚

  • 封装形式:DIP-4(插件),便于面包板与传统 PCB 布局安装。
  • 单通道设计,适合点对点隔离信号传输。

总结:MTLP521-1GB (DIP) 以其高隔离电压、宽 CTR 范围与稳健的温度特性,适合在工业控制、电源隔离与一般信号隔离场景中替代或升级传统光耦方案。选择时建议根据实际工作电流与负载条件评估 CTR 与响应速度,以确保系统长期稳定运行。