CJAB35N03 产品概述

一、产品简介

CJAB35N03 是江苏长电/长晶（CJ）出品的一款 N 沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 Vdss 为 30V，连续漏极电流 Id 可达 35A，导通电阻 RDS(on) 为 7mΩ（Vgs=10V），最大耗散功率 Pd 为 45W。器件采用 PDFNWB-8L (3.3×3.3mm) 封装，工作温度范围宽（-55℃ ~ +150℃），适合中低压、大电流场合的开关与同步整流应用。

二、主要参数概览

• 极性：N 沟道
• Vdss：30 V
• 连续 Id：35 A
• RDS(on)：7 mΩ @ Vgs = 10 V
• 阈值电压 Vgs(th)：约 1 V
• 总栅极电荷 Qg：约 40 nC @ Vgs = 10 V
• 输入电容 Ciss：2.013 nF @ 15 V
• 反向传输电容 Crss：228 pF @ 15 V
• 最大耗散功率 Pd：45 W
• 工作温度：-55 ℃ ~ +150 ℃
• 封装：PDFNWB-8L (3.3 × 3.3 mm)
• 数量：1 只

三、性能亮点与应用场景

该器件 RDS(on) 低、耐压适中、导通电流能力强，适用于：

• 开关电源（同步整流、次级同步 MOSFET）
• DC-DC 降压转换器主开关或同步管
• 电机驱动、负载开关、功率管理模块
• 汽车电子或工业控制中低压功率开关场合（需注意热管理和过压保护）

四、驱动与布局建议

• 驱动电压：推荐 Vgs = 10 V 以达到标称 RDS(on)；若驱动为 5 V，应评估导通电阻上升带来的导通损耗。
• 栅极设计：Qg ≈ 40 nC，驱动器需具备相应驱动能力；为了控制开关损耗与振铃，可在栅极加入 5–22 Ω 的栅极电阻并视 PCB 寄生适当增减。
• PCB 散热：PDFNWB 封装需通过大面积铜箔（尤其是散热焊盘/底铜）进行散热，建议在器件底部和背面增加过孔连通多层散热层，保证在高电流条件下不超温。
• 布局要点：尽量缩短功率回路（Drain-Source）回路面积，减小电感；将驱动地与功率地分开，且在供电端靠近器件处做去耦电容。

五、热与可靠性注意事项

• 额定 45W 耗散为理想条件（良好散热），实际应用中应根据 PCB 热阻计算允许的连续电流。
• 在脉冲或短时高电流场合，请参考器件脉冲电流和 SOA（安全工作区）数据，避免热失控。
• 工作温度可覆盖工业级需求，但长时间高温会加速器件老化，建议在设计中留有热裕量。

六、选型与替代考虑

在 30V/35A 级别的应用中，选择时应关注 RDS(on)（影响导通损耗）、Qg（影响开关损耗与驱动器选型）、封装散热能力与热阻等指标。若需更低导通损耗可考虑 RDS(on) 更低但可能 Qg 更大的型号；若需要低栅驱动电压（逻辑电平），则需确认在 Vgs=4.5–5V 时的 RDS(on) 表现。

七、结论

CJAB35N03 是一款在中低压电源与功率开关场合具有良好综合性能的 N 沟道 MOSFET，适合用于同步整流、DC-DC 转换及电机驱动等场景。设计时应重视栅极驱动能力与 PCB 散热设计，以发挥其低 RDS(on) 与大电流能力的优势。若需最终设计验证，请参考完整数据手册中的电气特性、损耗和热特性曲线进行仿真与测试。