BAS70-05-E3-18 产品概述

一、产品简介

BAS70-05-E3-18 是 VISHAY（威世）推出的一款肖特基二极管阵列，采用一对共阴极（common-cathode）配置，面向表面贴装（SOT-23-3 / TO-236-3 / SC-59）封装。该器件以低正向压降和高速恢复特性著称，适合在高频整流、信号整形及电源保护等场景中使用。

二、主要电气参数

• 正向压降 Vf：约 1.0 V @ IF = 15 mA（典型工作点，可在不同电流下变化）
• 直流反向耐压 Vr：70 V（最大反向耐压，适用于中低功率高耐压应用）
• 整流电流（连续）：200 mA（适用于小功率整流和保护用途）
• 反向电流 Ir：约 100 nA @ 50 V（低漏电流，有利于保持高阻断效率和低静态损耗）

三、核心优势

• 低正向压降：降低导通损耗，提高效率，尤其在低压差应用中优势明显。
• 肖特基特性：开关速度快、恢复时间近似为零，适合高速切换和高频整流。
• 低漏电流：在中高电压下仍保持较低反向电流，有利于电源待机和高阻态控制。
• 紧凑封装（SOT-23-3）：节省PCB空间，便于自动贴装与批量生产。

四、典型应用

• 高频整流与检波电路（如开关电源二次侧小电流整流）
• 保护与极性检测（反接保护、电源轨 OR-ing）
• 信号钳位与电平移位（高速逻辑接口的钳位与电平修正）
• 便携设备与消费电子中小电流电源路径

五、封装与装配建议

BAS70-05-E3-18 使用 SOT-23-3 封装，适配通用贴片工艺。焊接时建议遵循元件厂商的回流曲线，注意焊膏量与焊盘设计以保证可靠焊接与热散逸。对于长时间在较高电流或较高环境温度下工作，应在电路板布局中考虑散热路径与热阻管理。

六、选型提示与注意事项

• 若应用电流接近或超过 200 mA，应选择更高额定电流的器件或并联设计并做好热设计。
• 在高温或长时间高压条件下，注意测试实际反向漏电随温度变化情况。
• 参考 VISHAY 的器件详细数据手册进行更精确的参数验证与封装尺寸核对。

BAS70-05-E3-18 以其低压降、快速开关和小型封装，适合多种小电流、高频及保护类电路，是对板载空间与效率有要求设计的优选器件。