BAS86-GS08 产品概述

一、产品简介

BAS86-GS08 是 VISHAY（威世）出品的一款独立式肖特基二极管，采用 SOD-80 表贴封装，适用于对开关速度和低正向压降有要求的小功率电路。该器件标称正向压降 Vf = 700 mV（@100 mA），直流反向耐压 Vr = 50 V，整流电流 If = 200 mA，反向电流 Ir = 5 μA（@40 V），非重复峰值浪涌电流 Ifsm = 500 mA。体积小、响应快，是开关整流、保护与低压电源中常用的元件。

二、主要性能参数

• 型号：BAS86-GS08（VISHAY）
• 封装：SOD-80（小型表贴封装）
• 正向压降：Vf = 700 mV @ 100 mA
• 直流反向耐压：Vr = 50 V
• 连续整流电流：If = 200 mA
• 反向电流：Ir = 5 μA @ 40 V
• 非重复峰值浪涌电流：Ifsm = 500 mA

三、特点与优势

• 低正向压降：相比普通硅二极管，肖特基结构在低电流区表现出较低的 Vf，有助于提高整流效率、降低功耗。
• 快速响应：肖特基二极管无显著存储层，开关速度快，适合频繁开关场合。
• 小型封装：SOD-80 适合空间受限的表贴装配，有利于高密度布局。
• 耐压与漏电平衡：50 V 的耐压使其可用于中等电压的保护与整流场景，同时在 40 V 时反向漏电仅 5 μA（室温条件），适合多数低功耗应用。

四、典型应用场景

• 低压开关电源的输出整流与续流路径
• 电源反接保护与极性保护电路
• 信号检波与高频开关场合的整流器件
• 便携式设备、通信终端、传感器节点中的电源管理与保护

五、使用与设计注意事项

• 功耗与散热：在 200 mA 连续工作且 Vf ≈ 0.7 V 时，器件功耗约 0.14 W。建议为连续工作留出热裕量并在 PCB 布局中采用短导线与适当铜面以利散热；对长时间可靠性建议对连续电流做适当降额（例如 50%–75% 的经验降额）。
• 反向漏电随温度上升：肖特基二极管的反向电流会随着温度显著增大，若电路对漏电敏感，应在高温工况下验证 Ir。
• 浪涌能力：Ifsm = 500 mA 提示器件能承受短时浪涌，但不要将该值作为连续条件。设计时应考虑浪涌次数与频率的影响。
• 封装与焊接：SOD-80 为表贴封装，遵循厂商推荐的回流焊工艺和温度曲线，避免过热或长时间高温暴露。

六、选型建议

• 若应用在更高电流或更低 Vf 要求场合，应考虑更大功率或更低 Vf 的肖特基型号；反之若需要更高耐压可选 60 V/100 V 等级产品。
• 对漏电敏感的低功耗系统，建议在样品阶段做温度与偏压下的反向漏电评估，必要时选择漏电更低的替代型号。
• 最终选型应结合 PCB 热设计、工作环境温度与预期寿命进行验证测试。

以上为 BAS86-GS08 的概要说明，如需器件完整数据表（包括最大额定值、温度特性、封装尺寸与焊接指南），建议参考 VISHAY 官方 Datasheet 以获得详细参数和推荐的应用电路。