型号:

MHT153PTBT

品牌:MEIHUA(美华)
封装:1206
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
MHT153PTBT 产品实物图片
MHT153PTBT 一小时发货
描述:光电晶体管 MHT153PTBT 1206
库存数量
库存:
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.497
2000+
0.45
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集射极击穿电压(Vceo)30V
集电极电流(Ic)20mA
耗散功率(Pd)75mW
暗电流50uA
峰值波长940nm
工作温度-25℃~+85℃
集射极饱和电压(VCE(sat))0.4V@5mA

MHT153PTBT(1206)光电晶体管产品概述

一、产品简介

MHT153PTBT 是美华(MEIHUA)出品的一款 NPN 型光电晶体管,采用 1206 表面贴装封装,针对近红外光(峰值波长 940nm)有良好响应。器件适合与 940nm 红外发光二极管配合使用,用于反射式或穿透式光电检测、接近/计数传感、脉冲光接收等小功率光电应用。

二、主要电气与环境参数

  • 晶体管类型:NPN 光电晶体管
  • 峰值响应波长:940nm(近红外)
  • 集—射极击穿电压 Vceo:30V
  • 最大集电极电流 Ic:20mA
  • 最大耗散功率 Pd:75mW
  • 暗电流:50µA(典型/上限)
  • 集—射极饱和电压 VCE(sat):0.4V @ Ic=5mA
  • 工作温度范围:-25℃ ~ +85℃
  • 封装:1206 SMD(小体积、适合高速贴装生产)

三、性能要点解读

  • 响应波长 940nm:与常见红外发光二极管匹配良好,适合遥控、红外对射与反射式传感器。
  • 低 VCE(sat):在 5mA 驱动下 VCE(sat)≈0.4V,方便与低压逻辑电平直接接口,降低功耗。
  • 暗电流 50µA:在微弱光条件下的漏电流会影响灵敏度与误触发阈值;设计电路时应留有裕量或采用调制/同步检测以抑制环境光影响。
  • 功耗限制:Pd=75mW 表明在高电流和高电压同时存在时需要注意功耗限制。例如当 Ic 接近上限 20mA 时,允许的 VCE 约为 Pd/Ic = 3.75V,因此实际使用时应避免大电压降与大电流并存。

四、典型应用与电路建议

  • 典型应用:红外遥控接收、反射式障碍/计数传感器、编码器光电检测、近距离物体识别、小功率光电开关。
  • 常用电路形式:
    • 共射(低电平输出):集电极外接上拉电阻到 VCC,发光照入后集电极电流增加拉低电平。
    • 共集(缓冲/跟随):用于需要输出电平随光强变化但电压幅度受限的场合。
  • 上拉电阻设计示例:若 VCC=5V,目标 Ic≈5mA(使器件进入饱和以获得低 VCE),上拉电阻 R ≈ (VCC−VCE(sat))/Ic ≈ (5−0.4)/5mA ≈ 920Ω(示例值,实际按设计光照条件与逻辑电平需求调整)。
  • 抑制环境光:在低光等级检测时建议采用调制红外源并做同步检测,或在电路中增加比较器并设置合适的触发阈值。

五、封装与安装注意

  • 1206 封装便于自动贴片生产,适合大批量 SMT 工艺。安装时注意器件光窗口方向与探测方向一致。
  • 焊接:遵循常规 SMD 回流焊工艺,避免超温超时;贴装前后注意防潮、防静电。
  • 散热:器件功耗较低,但在长时间高电流工作时应注意 PCB 散热与限流设计,避免超过 Pd。

六、选型与可靠性提示

  • 若工作电流常常接近 20mA 或需在更高温度下长期工作,应考虑余量,选择更高功耗或更大电流等级的器件。
  • 对于要求极低暗电流或高速响应的应用,建议向供应商索取完整数据手册以确认响应时间、灵敏度(光电流-照度曲线)和典型特性曲线。
  • 存储与搬运:避免阳光直射、高温潮湿环境和静电冲击,贴片前遵循防潮等级(若厂家提供)。

总结:MHT153PTBT(1206)是一款面向近红外小信号检测的 NPN 光电晶体管,体积小、易贴装、与 940nm 光源配合使用效果良好。合理的偏置与热功耗管理,以及对暗电流和环境光的处理,是发挥其可靠性能的关键。若需更详细的动态特性或封装尺寸建议参阅厂方完整资料或直接咨询供应商。