型号:

BC846B

品牌:UMW(友台半导体)
封装:SOT-23
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
BC846B 产品实物图片
BC846B 一小时发货
描述:三极管(BJT) 200mW 65V 100mA NPN
库存数量
库存:
3294
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0495
3000+
0.0393
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)65V
耗散功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE)200@2mA,5V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))500mV
工作温度-65℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)6V

BC846B 产品概述(UMW·友台半导体)

一、产品简介

BC846B 为 UMW(友台半导体)出品的一款通用 NPN 小功率晶体管,封装为 SOT-23,适用于便携式与板载低功耗信号处理场合。器件具备高电压耐受与较高电流增益的平衡特性,便于在放大与开关两类电路中应用。

二、主要参数与特性

  • 晶体管类型:NPN
  • 最大集电极电流 Ic:100 mA
  • 集射极击穿电压 Vceo:65 V
  • 功耗 Pd(总耗散):200 mW(SOT-23 封装)
  • 直流电流增益 hFE:典型 200 @ Ic=2 mA, VCE=5 V
  • 特征频率 fT:约 100 MHz(典型)
  • 集电极截止电流 Icbo:典型 100 nA(低漏电流)
  • 集射极饱和电压 VCE(sat):约 500 mV(在适当基极驱动下)
  • 射基极反向击穿电压 Vebo:6 V
  • 工作温度范围:-65 ℃ ~ +150 ℃

三、电气特性要点

BC846B 在小信号区表现优良:hFE 在低电流(约 2 mA)时可达 200,便于构建高增益前置放大器;fT≈100 MHz 支持高频小信号放大与缓冲。低 Icbo(100 nA)利于低电流、低泄漏电路设计。需要注意功耗限制:在最大 Ic=100 mA 下,如果 VCE 较大,会超出 Pd(200 mW)——例如 100 mA 时允许的最大 VCE 仅为 Pd/Ic = 2 V,因此高电流工作应限制 VCE 或改用更大功耗封装。

四、封装与散热建议

SOT-23 小型封装适合密集贴装电路,但热阻较高。推荐在 PCB 上为器件的引脚和焊盘配置足够的铜箔面积(散热地/散热线)并采用多层板接地铜箔以提高功耗承载能力。实际设计中应计算功耗并确保结温不超过规定的工作温度上限。

五、典型应用

  • 小信号放大器、前置放大与音频放大低阶级
  • 开关驱动(低功率继电器、指示 LED 驱动)
  • 电平转换、缓冲、采样与保持前级
  • 射频前端的低噪声放大器(在fT限制内)
  • 电池供电便携设备中的通用开关/放大单元

六、使用建议与注意事项

  • 避免在 VBE 反向超过 6 V 的情况,以防损伤基极-发射极结。
  • 在需要饱和导通时,保证足够的基极驱动电流以达到约 500 mV 的 VCE(sat) 典型值。
  • 对于持续高电流或高 VCE 应用,应降低工作电流或采用更高功耗器件。
  • 设计 PCB 时扩大焊盘和铜箔面积,并考虑热仿真验证结温。
  • 储存与焊接过程中注意 ESD 与热应力保护,遵循厂家焊接温度曲线。

BC846B 在通用电子设计中提供了高增益、较高耐压与低漏电流的良好组合,适合多种小信号与低功耗开关应用。但在高功耗或持续大电流场合,应重点关注热管理与安全工作区限制。