UPZ1608E121-3R0TF 产品概述

一、产品简述

UPZ1608E121-3R0TF 是顺络（Sunlord）出品的一款单通道磁珠（ferrite bead），封装为0603（公制1608），专为高频干扰抑制和电源/信号线 EMI 滤波设计。该器件在 100MHz 时阻抗为 120Ω，直流电阻仅 35mΩ，额定电流 3A，工作温度范围 -55℃ 至 +125℃，阻抗公差 ±25%。凭借高频阻抗与低直流电阻的组合，适合在保持电源传输效率的同时，抑制射频噪声和开关噪声。

二、主要电气性能

• 阻抗：120Ω @ 100MHz（典型值）
• 阻抗误差：±25%
• 直流电阻（DCR）：35mΩ（典型）
• 额定电流：3A（连续电流能力）
• 通道数：1（单通道器件）
• 工作温度：-55℃ ~ +125℃

该器件在高频段具有显著的阻抗特性，可以有效衰减 10MHz~几百MHz 范围内的干扰能量；同时较低的 DCR 保证对直流及低频交流电能量的影响最小，适用于降噪且不显著增加压降的场合。

三、封装与可靠性

• 封装：0603（1608 公制），适配常见 SMT 生产线与自动贴装设备
• 温度性能：可在宽温范围内稳定工作，适合室温至工业级温区的应用
• 焊接建议：建议按厂商提供的回流焊曲线进行无铅或有铅回流工艺，避免过度机械应力与温度循环导致失效

0603 小尺寸有利于紧凑设计，但在功率与热耗较高的应用中需注意布局与散热路径。

四、典型应用场景

• 开关电源（SMPS）输入/输出滤波，抑制开关噪声和传导发射
• 电源总线与点对点电源滤波（如 3A 以内的点负载供电）
• USB、HDMI 等高速接口的共模/差模噪声控制（作为串联单端滤波元件）
• 手机、平板、笔记本以及消费电子的 EMI 抑制
• 工业控制与通信设备的射频干扰治理

五、选型与布局建议

1. 放置位置：磁珠应靠近噪声源或进入系统的干扰入口（如电源引入端、开关管旁），以阻断干扰传播路径。
2. 与电容配合：常与去耦电容并联形成 π 型或 T 型滤波网络，以增强低频与高频的综合滤波效果。
3. 电流与热管理：额定电流 3A 表明可用于中等电流线路；若实际工作电流接近额定值，应评估温升并保证周围散热条件。
4. 阻抗公差：±25% 的公差意味着实际阻抗会有一定波动，关键应用建议参考频谱测量或选择更严格公差的产品。
5. 对差分信号线：本器件为单端磁珠，不适合直接用于差分线对抑制差模噪声，需结合差分对设计考虑。

六、总结

UPZ1608E121-3R0TF 以其在 100MHz 附近的高阻抗、低 DCR 以及 0603 的小型化封装，提供了在不显著增加压降的情况下抑制高频 EMI 的可靠方案。适用于对空间、成本和性能有综合要求的电源与信号滤波场合。选用时注意实际工作电流、布局位置与与去耦电容的配合，以获得最佳的抑噪效果与系统可靠性。若需更详细的阻抗频率特性曲线或焊接规范，建议参考顺络官方数据手册。