TPM27524-EV1R 产品概述

一、主要特性

TPM27524-EV1R 是 3PEAK 提供的一款低端非反相双通道栅极驱动器评估板/参考设计，适用于驱动 MOSFET 与 IGBT 等功率器件。器件集成欠压保护（UVP），工作可靠，适合工业与汽车级环境下的开关电源与电机驱动应用。器件为低边驱动配置，输入信号与输出同相（非反相），便于直接与控制器逻辑接口对接。

二、关键参数

• 工作电压：4.5 V ~ 23 V，兼容常见 12V/18V/24V 总线。
• 工作温度：-40 ℃ ~ +125 ℃，适合宽温区应用。
• 驱动通道：2 通道，双路独立驱动。
• 输入电平阈值：VIH = 1.65 V，VIL = 1.4 V，适配低压逻辑电平。
• 时序性能：tpLH = 14 ns，tpHL = 14 ns（传播延迟）；上升时间 tr = 7 ns；下降时间 tf = 6 ns，具备快速开关响应。
• 保护功能：欠压保护（UVP），提高系统安全性与可靠性。
• 负载类型：专为 MOSFET、IGBT 等功率开关器件设计。
• 封装：EMSOP-8，便于 PCB 布局与散热考虑。
• 驱动配置：低边（low-side）驱动，非反相输出。

三、典型应用场景

• 开关电源（SMPS）与同步整流驱动。
• 电机驱动与伺服放大器的低端开关管驱动。
• 汽车电子与工业控制中 12V/24V 总线的功率管理。
• DC-DC 转换器、逆变器的栅极驱动与测试验证。

四、设计要点与建议

• 输入接口：因输入阈值为 VIH=1.65V、VIL=1.4V，可直接与 MCU 或逻辑器件连接，但需保证输入上升沿与下降沿的完整性以发挥器件快速响应优势。
• 电源旁路：在 VCC/电源引脚附近放置低 ESR 陶瓷旁路电容，减小瞬态压降，配合欠压保护确保可靠启动。
• 布局与散热：EMSOP-8 封装需关注电源与地的回流路径，厚铜与合理走线有利于热量转散并降低寄生电感。
• 驱动能力匹配：根据 MOSFET/IGBT 的门极电容选择合适走线与器件间距，快速 tr/tf 有助于降低开关损耗，但同时要注意过冲与 EMI 管控。
• 保护配合：在高 dv/dt 场合建议配合 RC 缓冲或门极电阻来控制开关应力，并使用适当的软起动与短路检测策略。

五、封装与可用性

TPM27524-EV1R 以 EMSOP-8 封装提供，适合小型化电路板与批量生产应用。作为 3PEAK 的驱动器评估/参考模块，其参数适中、时序响应快、并具备欠压保护，是在中小功率功率电子系统中进行功能验证与方案开发的优选器件。若需进一步电气参数（例如峰值输出电流、栅极驱动能力曲线等），建议参照产品规格书或联系供应商获取完整技术资料。