型号:

LM358LVIDGKR

品牌:TI(德州仪器)
封装:VSSOP-8
批次:23+
包装:编带
重量:1g
其他:
-
LM358LVIDGKR 产品实物图片
LM358LVIDGKR 一小时发货
描述:运算放大器 1.5V/us 双路 15pA 1MHz
库存数量
库存:
2498
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.428
2500+
0.392
产品参数
属性参数值
放大器数双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)9V
增益带宽积(GBP)1MHz
输入失调电压(Vos)5mV
输入失调电压温漂(Vos TC)4uV/℃
压摆率(SR)1.5V/us
输入偏置电流(Ib)15pA
输入失调电流(Ios)5pA
噪声密度(eN)40nV/√Hz@1kHz
共模抑制比(CMRR)80dB
静态电流(Iq)90uA
输出电流40mA
工作温度-40℃~+125℃
单电源2.7V~5.5V
双电源(Vee~Vcc)1.35V~2.75V;-2.75V~-1.35V

LM358LVIDGKR 产品概述

一、简介

LM358LVIDGKR 是德州仪器(TI)推出的一款双运算放大器,针对低功耗、低偏置电流和通用信号调理应用进行了优化。该器件在单/双电源下均能稳定工作,具有良好的增益带宽、较低的输入噪声及适中的驱动能力,适合便携式设备、传感器前端、滤波和压力/温度测量等场景。

二、主要电气参数(概览)

  • 放大器通道数:双路
  • 最大电源电压差 (Vdd–Vss):9 V
  • 单电源工作范围:2.7 V ~ 5.5 V
  • 双电源工作范围:±1.35 V ~ ±2.75 V(即 Vee~Vcc)
  • 增益带宽积(GBP):1 MHz
  • 压摆率(SR):1.5 V/µs
  • 静态电流(Iq):90 µA(典型)
  • 输入偏置电流(Ib):15 pA
  • 输入失调电流(Ios):5 pA
  • 输入失调电压(Vos):5 mV
  • 温漂(Vos TC):4 µV/℃
  • 噪声密度(eN):40 nV/√Hz @1 kHz
  • 共模抑制比(CMRR):80 dB
  • 输出驱动能力:最大 40 mA
  • 工作温度范围:-40 ℃ ~ +125 ℃
  • 封装:VSSOP-8

三、性能亮点

  1. 低功耗:每通道静态电流仅约 90 µA,适合电池供电的便携系统。
  2. 极低输入偏置与失调电流:15 pA/5 pA 的小电流指标,使其在高阻抗传感器接口(如电化学、光电二极管等)中表现良好。
  3. 良好的噪声与温漂特性:40 nV/√Hz 的噪声密度和 4 µV/℃ 的失调温漂,有利于低频精密测量。
  4. 中等带宽与压摆率:1 MHz 的 GBP 与 1.5 V/µs 的 SR 能满足多数慢速到中速信号调理和滤波应用。
  5. 足够的输出驱动:最大 40 mA 输出电流,可直接驱动一般模拟负载或作缓冲输出。

四、典型应用场景

  • 传感器前端放大(温度、压力、湿度、光电)
  • 低速主动滤波器与信号整形(低通、高通、带通)
  • 仪表放大器的前置放大与缓冲
  • 便携式/电池供电电子设备的模拟信号处理
  • 电平移位与基准缓冲

五、应用建议与注意事项

  • 电源去耦:靠近器件的 VCC/VSS 引脚放置 0.1 µF 陶瓷旁路电容,可抑制高频干扰并保证瞬态响应。
  • PCB 布局:对高阻抗输入使用短走线、守护地和屏蔽,减少杂散电容与干扰耦合;敏感信号与数字地分离并在适当位置汇流。
  • 输入保护:若用于可能出现过压或反向电压的传感器接口,建议加限流电阻或钳位器件以保护输入。
  • 工作温度:器件支持工业级温度范围(-40 ℃ 至 +125 ℃),适用于大多数工业环境,但在极端环境下需关注增益和偏移随温度的变化。
  • 负载驱动:尽管最大输出电流达 40 mA,但长时间驱动大电流会加剧功耗与发热,应评估散热与稳态电流消耗。

六、封装与可靠性

LM358LVIDGKR 提供 VSSOP-8 封装,适合空间受限的表面贴装设计。设计时应参考 TI 的封装尺寸和焊盘推荐,保证焊接可靠性与热扩散。

七、总结

LM358LVIDGKR 是一款面向通用模拟信号处理的低功耗双运放器件,凭借低偏置电流、低噪声和良好的输出驱动能力,适合传感器接口、便携仪表与工业控制等多种应用场景。在电源去耦与合理的 PCB 布局下,可提供稳定且精确的放大与缓冲功能。若需更高带宽或更低失调的性能,可考虑 TI 的其他高性能系列作为补充。