SMCJ33CAHE3_A/H 产品概述

一、主要参数

• 类型：瞬态电压抑制二极管（TVS），双向（Bidirectional）
• 品牌：VISHAY（威世）
• 封装：SMC（DO-214AB）
• 反向截止电压 Vrwm：36 V
• 击穿电压 Vbr：40.6 V（典型）
• 钳位电压 Vc：53.3 V（测试条件：10/1000 µs 浪涌波形，Ipp = 28.1 A）
• 峰值脉冲功率 Ppp：1.5 kW @ 10/1000 µs
• 峰值脉冲电流 Ipp：28.1 A @ 10/1000 µs
• 反向电流 Ir：1 µA（在 Vrwm 条件下典型）
• 工作温度范围：-55 ℃ ~ +150 ℃

二、产品特性

SMCJ33CAHE3_A/H 为高能量吸收型 TVS 器件，具有以下显著特性：

• 高浪涌吸收能力：在标准 10/1000 µs 浪涌条件下，器件可承受 1.5 kW 的瞬态能量并将峰值电压限制在约 53.3 V。
• 低钳位比：V C / V RWM ≈ 1.48，有利于限制保护端点的过压，降低后端器件应力。
• 低漏电：在常温 Vrwm 下典型漏电仅为 1 µA，适合对静态功耗敏感的系统。
• 宽温度适应性：-55 ℃ 至 +150 ℃ 的工作范围，适用于工业级和苛刻环境。
• 双向结构：对两极性瞬态都有抑制能力，适合交流线路或可能出现反向极性的场合。

三、典型应用场景

• 工业控制电源母线和现场总线（如 24 V/36 V 类系统）的浪涌保护。
• 电源输入端、逆变器、驱动器及电机控制接口的过压抑制。
• 通信设备、基站电源以及配电系统的线路级防护。
• 太阳能逆变器、储能系统以及其它需抵抗雷击或开关冲击的应用场合。
• 需要双向保护的交流或有可能反向电压的端口。

四、封装与热管理

SMC（DO-214AB）封装提供较好的散热路径和高能量吸收能力。建议设计要点：

• 将 TVS 器件尽可能靠近被保护节点布置，以最小化走线寄生电感。
• 在 PCB 底部或焊盘处增加散热铜箔并配合若干通孔或热沉以提高热耗散能力。
• 对于频繁遭受大能量脉冲的场合，应评估器件温升并考虑并联或更大封装的方案。

五、选型与使用建议

• 根据被保护线路的最大工作电压选择 Vrwm：本器件 Vrwm 为 36 V，适合额定近似或低于此值的电源母线。
• 注意钳位电压与后级器件耐压的匹配：在最大浪涌电流下钳位约 53.3 V，应保证下游器件能承受该瞬态。
• 漏电随温度上升而增加，如对漏电严格敏感，应按最高工作温度下的漏电规格评估。
• TVS 适用于抑制瞬态浪涌，不可作为长期承受持续过压的元件；若存在长期过压，应结合限流或稳压方案。

六、可靠性与维护

在遭受超额冲击或多次大能量浪涌后，器件可能退化甚至失效。建议在设计时预留检测或替换机制，并在现场维护中关注器件外观和性能变化。总体而言，SMCJ33CAHE3_A/H 提供了在中高能量冲击下稳定、低漏电且宽温度适应的线路级瞬态保护方案，是工业与电力类系统常用的防护元件选择。