型号:

VS-4EVH02-M3/I

品牌:VISHAY(威世)
封装:TO-252-3
批次:24+
包装:-
重量:-
其他:
-
VS-4EVH02-M3/I 产品实物图片
VS-4EVH02-M3/I 一小时发货
描述:Rectifier Diode Switching 200V 4A 25ns 3-Pin(2+Tab) Slim DPAK
库存数量
库存:
3994
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:4500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.16
4500+
1.1
产品参数
属性参数值
二极管配置1个独立式
正向压降(Vf)1V@4A
直流反向耐压(Vr)200V
整流电流4A
反向电流(Ir)3uA
反向恢复时间(Trr)25ns
工作结温范围-55℃~+175℃
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)100A

VS-4EVH02-M3/I 产品概述

一、产品简介

VS-4EVH02-M3/I 是 VISHAY(威世)出品的一款紧凑型整流/开关二极管,采用 Slim DPAK(TO-252-3,3 引脚 2+Tab)封装。器件定位于中功率高速整流与开关应用,兼顾低导通损耗与快速反向恢复,适合开关电源、整流桥、功率管理与保护电路等场合。

二、主要参数

  • 直流整流电流(IF):4 A(持续)
  • 非重复峰值浪涌电流(IFSM):100 A
  • 直流反向耐压(VR):200 V
  • 正向压降(Vf):1.0 V @ IF = 4 A
  • 反向电流(IR):3 µA(典型/最大值,受温度影响)
  • 反向恢复时间(Trr):25 ns
  • 工作结温范围:-55 ℃ ~ +175 ℃
  • 封装:TO-252-3(Slim DPAK,3 引脚 2+Tab)

三、性能亮点

  • 低正向压降(Vf ≈ 1 V @ 4 A),在中等电流下有效降低导通损耗,提高系统效率。
  • 快速反向恢复(Trr = 25 ns),适配高频开关环境,减少开关损耗与电磁干扰。
  • 高浪涌能力(IFSM = 100 A),能承受通用电路及短时冲击电流,提升可靠性。
  • 宽工作结温(-55 ℃ ~ +175 ℃),适应严苛环境与高温工况。

四、典型应用场景

  • 开关电源(SMPS)输出整流与同步整流替代方案
  • 功率因数校正(PFC)与整流桥
  • 逆变器与电机驱动辅助整流
  • 充电器、适配器及车载电子(满足较高浪涌能力与宽温度要求)
  • 保护电路及快速切换路径

五、热管理与封装信息

Slim DPAK(TO-252-3)提供良好的散热路径:Tab 与 PCB 热铜箔直接热连接,建议在 PCB 下方设计大面积铜泊与过孔阵列以增强散热。封装特性便于表面贴装(SMT)与自动化加工,适合批量制造。注意器件靠近热源时应评估结-环境热阻及工作结温。

六、设计与选型注意事项

  • 根据最大工作电流和允许结温计算 PCB 散热面积,必要时采用额外散热或多层铜箔。
  • 在高频开关应用中,配合适当的缓冲网络(RC 或 TVS)以控制电压尖峰并降低开关应力。
  • 若应用具有长期高温或苛刻脉冲负载,应核对 IFSM 条件下的峰值能量与重复率。
  • 参考 VISHAY 官方数据手册以获取完整的温度依赖特性、电气图与封装尺寸,确保焊接与可靠性要求匹配。

如需样片、详细数据手册或基于该器件的参考设计,请注明应用场景与工作条件,我可提供更具体的选型与布局建议。