型号:

SMBJ85A-E3/52

品牌:VISHAY(威世)
封装:DO-214AA(SMBJ)
批次:23+
包装:编带
重量:-
其他:
-
SMBJ85A-E3/52 产品实物图片
SMBJ85A-E3/52 一小时发货
描述:Diode: TVS; 600W; 94.4V; 4.4A; unidirectional; SMB; reel,tape;
库存数量
库存:
2365
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:750
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.45
750+
0.407
产品参数
属性参数值
极性单向
反向截止电压(Vrwm)85V
钳位电压137V
峰值脉冲电流(Ipp)4.4A@10/1000us
峰值脉冲功率(Ppp)600W@10/1000us
击穿电压104V
反向电流(Ir)1uA
工作温度-55℃~+150℃
类型TVS

SMBJ85A-E3/52 — VISHAY 单向 TVS 二极管 产品概述

一、产品简介

SMBJ85A-E3/52 是 VISHAY(威世)出品的一款单向瞬态电压抑制(TVS)二极管,封装为 DO-214AA(SMBJ),采用卷带(reel,tape)包装,符合表面贴装自动化装配要求。器件标称反向工作电压 Vrwm = 85V,针对中长时程浪涌(10/1000µs)提供高达 600W 的峰值脉冲功率抑制能力,适用于需要对高电压直流或工业电源轨进行瞬态保护的场合。

二、主要电气参数

  • 极性:单向(unidirectional)
  • 反向工作电压 Vrwm:85 V
  • 击穿电压 Vbr(典型/标称):约 104 V
  • 钳位电压 Vc:约 137 V (在 Ipp 条件下)
  • 峰值脉冲电流 Ipp:4.4 A(10/1000µs 波形)
  • 峰值脉冲功率 Ppp:600 W(10/1000µs 波形)
  • 反向漏电流 Ir:≤1 µA(在 Vrwm 条件下)
  • 工作温度范围:-55 ℃ ~ +150 ℃
  • 封装:DO-214AA (SMBJ)
  • 包装:卷带(reel,tape)
  • 品牌:VISHAY(威世)

三、典型应用场景

  • 电信/基站 48V 供电线路和 PoE(以太网供电)端口保护
  • 工业电源和控制系统的直流母线保护(如 24V/48V/60V 较高电压轨)
  • 电池管理与充放电输入端的过压/浪涌抑制
  • 电源适配器、逆变器与电机驱动器中的高能瞬态抑制
  • I/O 接口或长线缆引入的雷击/开关瞬变防护

四、设计与选型要点

  • 钳位电压:选择时需确认器件在最大脉冲电流下的钳位电压(Vc ≈137V)是否低于被保护电路所能承受的最大电压,以避免器件动作后仍损坏下游元件。
  • 能量吸收能力:600W/10/1000µs 表明该器件适合抑制能量较大的中长时程浪涌(如雷击引起的电涌),但对于短时、高幅值的 8/20µs 或 1/10µs 波形,需参考厂方曲线或选择更高瞬态电流能力的型号。
  • 漏电流与工作电压:Ir ≤1 µA 使其适合漏电流敏感的应用,但在高温工作时漏电流会增加,应考虑温度对漏电的影响。
  • 热管理与重复能量:脉冲功率参数基于特定波形与单次脉冲测试,长时间或重复频繁的浪涌会导致器件发热和寿命下降,必要时在电路中并联阻抗或热沉管理。

五、布局与封装建议

  • 贴片封装 DO-214AA(SMBJ)适合自动贴装与波峰/回流焊。卷带包装便于产线贴装。
  • 放置位置:将 TVS 尽量靠近被保护端(输入端或接线端),以缩短回路长度,减小寄生电感,提升钳制速度。
  • PCB 布线:确保器件两端接地回路宽、短、低阻,必要时采用多层铜箔和热释散设计以利散热。

六、可靠性与应用注意事项

  • 器件符合常见的工业温度范围(-55~+150℃),适合工业级使用,但在极端环境下需考虑老化与热循环影响。
  • 选型时参考 VISHAY 提供的完整数据手册和冲击试验曲线(Vc-Ipp 曲线、能量吸收曲线、热阻等),并按实际系统浪涌类型(波形、能量、重复率)进行验证。

总结:SMBJ85A-E3/52 为一款面向中高电压直流与工业电源保护的单向 TVS 器件,凭借 600W/10/1000µs 的吸收能力与 137V 左右的钳位水平,适合用于 48V/60V 级别的电源轨和长线防护场景。在设计时需结合钳位要求、脉冲波形、热管理与安装布局进行综合评估。